- 专利标题: 激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件
- 专利标题(英): Laser etching method and device, substrate electrode and electroluminescent device
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申请号: CN201610871505.4申请日: 2016-09-30
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公开(公告)号: CN106271046A公开(公告)日: 2017-01-04
- 发明人: 陈超
- 申请人: 纳晶科技股份有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室
- 专利权人: 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人: 纳晶科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市滨江区秋溢路500号1幢4楼405-407室
- 代理机构: 杭州橙知果专利代理事务所
- 代理商 曾祥兵
- 主分类号: B23K26/06
- IPC分类号: B23K26/06 ; B23K26/362 ; B23K26/067 ; B23K26/064 ; B23K101/40
摘要:
本发明公开了一种激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件。该激光刻蚀方法包括利用激光束对待刻蚀对象进行刻蚀的步骤,待刻蚀对象上设有至少一个待刻蚀区域,激光束包括用于使待刻蚀区域内的导电材料气化的主激光束,以及用于降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率的辅助激光束。本发明在刻蚀步骤中采用两种类型的激光束:主激光束能使待刻蚀区域内的导电材料气化,而辅助激光束用于提高待刻蚀区域边缘对应空间内的温度,从而降低待刻蚀区域边缘对应空间内的温度下降速率,防止气化的导电材料在从待刻蚀区域对应空间向外扩散的过程中因待刻蚀区域边缘对应空间内温度过低而发生沉积,避免在待刻蚀对象表面形成凸起。
公开/授权文献
- CN106271046B 激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件 公开/授权日:2019-08-23
IPC分类: