本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法，将硅料置入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300‑1380℃，保持高温熔炉炉底的硅料不熔化，制得多晶硅；将多晶硅进行切割，对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理，其中，清洗剂按照重量份的原料包括：表面活性剂40‑50份、螯合剂22‑30份；向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂，并在700‑800℃的温度下处理10min，清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素，使提纯后的多晶硅片的B浓度低于1ppm，提高多晶硅片的转化效率，使产品达到高纯多晶硅片99.9999％，保证产品合格率，同时降低生产成本。