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公开(公告)号：CN106283185B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610645967.4
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
IPC分类号： C30B29/06 , C30B28/06 , C01B32/956 , C01B33/18
摘要： 本发明公开了冶金级高效多晶硅片的制备方法，将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中，抽真空，充入氩气，炉膛升温，使冶金硅熔化为硅熔体，保持硅熔体温度在900‑1000℃，恒温熔炼3.5‑4.5h；炉膛内抽真空，硅熔体温度保持在900‑1000℃，并在氩等离子体流量为280‑320ml/min，真空熔炼0.3‑0.8h；炉膛抽真空，同时调整硅熔体温度到1400‑1500℃，保温并静置、降温至室温得到硅锭；再经过切割、表面清洗，即得冶金级高效多晶硅片。本发明通过高效冶金硅片转换效率提升技术，通过高还原性添加剂和硼的固化剂，并延长固化时间，保证产品能达到99.999％，提高少子寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106048720A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610645274.5
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
CPC分类号： Y02P70/521 , C30B29/06 , B28D5/007 , C30B28/06 , H01L31/182
摘要： 本发明公开了新型高效太阳能级多晶硅片的制备方法，在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；将硅原料装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；调节加热器温度为1400‑1460℃，调节隔热底板的开度在4‑8cm，制得多晶硅；对多晶硅采用双向切割工艺、砂浆回流处理、过滤分离后制得回流多晶硅，将回流多晶硅与去离子水混合后形成混合溶液，经雾化、喷涂到坩埚的内壁上，干燥后即为新型高效太阳能级多晶硅片。本发明降低产品孪晶的界面能，提供转化效率的稳定性，使整锭硅片的平均电池效率达到17.7％以上，减少环境污染，又可降低生产成本，提高硅锭的成晶率。
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公开(公告)号：CN106283185A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610645967.4
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本发明公开了冶金级高效多晶硅片的制备方法，将冶金硅、添加剂和硼的固化剂混合后置入炉膛中，抽真空，充入氩气，炉膛升温，使冶金硅熔化为硅熔体，保持硅熔体温度在900-1000℃，恒温熔炼3.5-4.5h；炉膛内抽真空，硅熔体温度保持在900-1000℃，并在氩等离子体流量为280-320ml/min，真空熔炼0.3-0.8h；炉膛抽真空，同时调整硅熔体温度到1400-1500℃，保温并静置、降温至室温得到硅锭；再经过切割、表面清洗，即得冶金级高效多晶硅片。本发明通过高效冶金硅片转换效率提升技术，通过高还原性添加剂和硼的固化剂，并延长固化时间，保证产品能达到99.999％，提高少子寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106350865B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610652406.7
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法，将硅料置入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300‑1380℃，保持高温熔炉炉底的硅料不熔化，制得多晶硅；将多晶硅进行切割，对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理，其中，清洗剂按照重量份的原料包括：表面活性剂40‑50份、螯合剂22‑30份；向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂，并在700‑800℃的温度下处理10min，清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素，使提纯后的多晶硅片的B浓度低于1ppm，提高多晶硅片的转化效率，使产品达到高纯多晶硅片99.9999％，保证产品合格率，同时降低生产成本。
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公开(公告)号：CN106048720B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610645274.5
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本发明公开了太阳能级多晶硅片的制备方法，在铸锭炉两侧加热器下方设置隔热条；将硅原料装入石英坩埚内，把石英坩埚送进铸锭炉；调节加热器温度为1400‑1460℃，调节隔热底板的开度在4‑8cm，制得多晶硅；对多晶硅采用双向切割工艺、砂浆回流处理、过滤分离后制得回流多晶硅，将回流多晶硅与去离子水混合后形成混合溶液，经雾化、喷涂到坩埚的内壁上，干燥后即为太阳能级多晶硅片。本发明降低产品孪晶的界面能，提供转化效率的稳定性，使整锭硅片的平均电池效率达到17.7％以上，减少环境污染，又可降低生产成本，提高硅锭的成晶率。
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公开(公告)号：CN106350865A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610652406.7
申请日：2016-08-09
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本发明公开了高纯度多晶硅片的制备方法，将硅料置入高温熔炉中，在无尘环境下加热至1300-1380℃，保持高温熔炉炉底的硅料不熔化，制得多晶硅；将多晶硅进行切割，对切割后的多晶硅利用清洗剂进行表面清洗处理，其中，清洗剂按照重量份的原料包括：表面活性剂40-50份、螯合剂22-30份；向清洗后的多晶硅中加入添加剂和硼的固化剂，并在700-800℃的温度下处理10min，清理后制得高纯度多晶硅片。本发明能有效地去除现有工艺难以去除的、影响太阳能电池材料中少子寿命和转化效率衰减的硼等关键性杂质元素，使提纯后的多晶硅片的B浓度低于1ppm，提高多晶硅片的转化效率，使产品达到高纯多晶硅片99.9999％，保证产品合格率，同时降低生产成本。
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公开(公告)号：CN205128266U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520950964.2
申请日：2015-11-25
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅生产用石英坩埚喷涂台，包括设于可旋转底座上的喷涂平台，以及拌料装置和吸尘装置，所述吸尘装置包括吸尘通道和设于所述吸尘通道上的风机，所述吸尘通道的内端口为喇叭口，所述喇叭口边缘固定有照明灯具。本实用新型中的多晶硅生产用石英坩埚喷涂台的结构合理，能够有效改善喷涂车间的工作环境，并降低造价，具有很好的使用效果。
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公开(公告)号：CN205139042U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520948879.2
申请日：2015-11-25
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅生产用石英坩埚裂缝检测装置，其包括检测灯具，所述检测灯具上固定有支架，所述支架与安装支脚通过螺栓组件固定连接，所述支架/安装支脚临近所述安装支脚/支架的一侧设有多个围绕螺栓组件呈环形间隔设置的定位凹槽，所述安装支脚/支架对应的位置设有适于与所述定位凹槽配合的至少一个定位凸台。本实施例中，通过在安装支脚和支架中的一个上设置定位凹槽，在另一个上设置适于与之配合的定位凸台，在需要对灯具的角度调整时，松动螺栓组件然后转动灯具至合适角度，然后使定位凸台与对应的定位凹槽配合后再拧紧螺栓组件，从而实现灯具角度可调，且结构简化易行，具有很好的使用效果。
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公开(公告)号：CN205128267U
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201520951066.9
申请日：2015-11-25
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本实用新型公开了一种多晶硅生产用石英坩埚喷涂台，其包括设于可旋转底座上的喷涂平台，以及拌料装置和吸尘装置，所述吸尘装置包括吸尘通道和设于所述吸尘通道上的风机，所述吸尘通道的内端口为喇叭口，位于所述喷涂平台的正上方，且喇叭口的口径大于所述喷涂平台的外径。本实用新型中石英坩埚喷涂台的结构合理，通过设置吸尘装置，并将吸尘通道的内端口设计成喇叭口状，位于所述喷涂平台的正上方，且所述喇叭口的口径大于所述喷涂平台的外径，这样一来，能够及时有效的将喷涂作业时产生的粉尘及时排出喷涂车间，从而改善了喷涂车间的工作环境，有益于工作人员的身体健康。
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公开(公告)号：CN205856653U
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201620825868.X
申请日：2016-07-31
申请人： 浙江恒都光电科技有限公司
发明人： 王勇
摘要： 本实用新型公开了一种螺栓型泄压装置及使用其的多晶硅铸锭炉，螺栓型泄压装置包括螺栓、弹簧、弹簧座和外筒，所述弹簧座与外筒螺纹连接构成空心状的圆筒，螺栓和弹簧装于圆筒内，所述螺栓包括具有外螺纹的杆部和设于杆部一端的头部，头部直径大于杆部直径，所述弹簧座上成型有适于杆部穿过的穿孔，所述穿孔的孔径小于头部的外径，也小于所述弹簧的直径，所述弹簧套装在杆部上，其两端分别与头部和弹簧座相抵。本实用新型的螺栓型泄压装置的结构简化合理，并能及时释放铸锭炉内剧增的气体，有效提高铸锭炉泄压时的安全性，具有很好的使用效果。
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