发明公开
- 专利标题: 半导体装置、温度传感器和存储装置
- 专利标题(英): Semiconductor device, temperature sensor and storage device
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申请号: CN201610590980.4申请日: 2016-07-25
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公开(公告)号: CN106370314A公开(公告)日: 2017-02-01
- 发明人: 金柱成 , 金赏镐 , 金光镐
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道水原市
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道水原市
- 代理机构: 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 刘灿强; 尹淑梅
- 优先权: 10-2015-0104355 2015.07.23 KR
- 主分类号: G01K1/00
- IPC分类号: G01K1/00 ; G11C29/12 ; H03K19/08 ; H03L1/02
摘要:
提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源-漏电导(GDS)失配,并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。
公开/授权文献
- CN106370314B 半导体装置、温度传感器和存储装置 公开/授权日:2020-03-17