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公开(公告)号：CN106370314B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610590980.4
申请日：2016-07-25
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源‑漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。
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公开(公告)号：CN108427028A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810105703.9
申请日：2018-02-02
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G01R19/00 , G01R19/165
CPC分类号： G01R19/14 , G05F1/461 , H02J7/0052 , H02J7/0068 , H02J7/025 , H02J50/10 , H02J50/80 , H02J2007/0096 , G01R19/0084 , G01R19/165
摘要： 提供了一种用于监控反向电压的半导体器件。半导体器件包括具有输入节点和输出节点的知识产权；连接在输出节点和电位之间的无源组件；连接到输入节点和输出节点并由驱动电源供电的监控电路，监控电路监控在输入节点处的输入电平与在输出节点处的输出电平之间的差，以检测知识产权上的反向电压。驱动电源由输出节点提供。
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公开(公告)号：CN106370314A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610590980.4
申请日：2016-07-25
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了半导体装置、温度传感器和存储装置。所述半导体装置包括失配检测和校正电路(MDCC)。MDCC被包括在温度传感器中并且包括与温度传感器基本相同的布局图案。MDCC检测由工艺失配导致的晶体管的阈值电压(VTH)失配和源-漏电导(GDS)失配，并且校正由失配导致的温度传感器中的错误。
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公开(公告)号：CN105844153A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610066555.5
申请日：2016-01-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F21/55
CPC分类号： H01L23/576 , G06F21/70 , G06K7/10257 , G06K19/07363 , H01L27/14 , H01L31/00 , H01L31/02016 , H01L2924/1434 , G06F21/55
摘要： 提供了使用锁存器的激光检测器和包括激光检测器的半导体装置。激光检测器包括：锁存器，配置为输出输出信号和反相输出信号；以及初始值设定电路，配置为设置输出信号和反相输出信号的至少一者的初始值。锁存器包括控制为通过初始值而首先导通的第一晶体管以及控制为通过初始值而首先截止的第二晶体管。第二晶体管具有包括横向面积大于第一晶体管的横向面积的有源区。
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公开(公告)号：CN103713802A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310444772.X
申请日：2013-09-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G06F3/0481 , G06F3/0488 , G06F3/0486
CPC分类号： G06F3/04842 , G06F3/04817 , G06F3/04883
摘要： 一种用于运行应用的方法和电子装置。用于在电子装置中运行应用的方法包括：在文件夹的图标中显示在文件夹中包含的一个或多个应用的一个应用图标；检测针对文件夹图标的手势；根据针对文件夹图标的手势来运行或改变在文件夹图标中显示的应用。
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公开(公告)号：CN113161342A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110006177.2
申请日：2021-01-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本公开提供半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件。一种半导体器件包括：感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中补偿电路配置为从第一电流去除第二电流以产生第三电流；检测电路，配置为将第三电流转换为光电压并将光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及防御电路，配置为基于确定结果来控制半导体器件执行预定的防御操作。
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公开(公告)号：CN113049129A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011054017.7
申请日：2020-09-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种温度测量电路，包括：带隙基准电路，被配置为生成与工作温度无关的固定的带隙基准电压；基准电压生成器电路，被配置为通过调整所述带隙基准电压生成测量基准电压；感测电路，被配置为基于偏置电流生成温变电压，其中，所述温变电压根据所述工作温度变化；模数转换器电路，被配置为基于所述测量基准电压和所述温变电压生成指示所述工作温度的第一数字代码；以及模拟内置自测试(BIST)电路，被配置为生成多个标志信号，其指示所述带隙基准电压、所述测量基准电压和与所述偏置电流相对应的偏置电压中的每一个是否包括在预定范围内。
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公开(公告)号：CN103871443B
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201310669934.X
申请日：2013-12-10
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。
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公开(公告)号：CN109799865B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201811358057.3
申请日：2018-11-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G05F3/24
摘要： 参考电压产生电路包括：运算放大器，包括连接到第一节点的第一输入端子和连接到第二节点的第二输入端子；第一晶体管，连接在接地端子和第一节点之间，其中第一电流在第一晶体管中流动；第二晶体管，连接到接地端子；第一可变电阻器，连接在第二晶体管和第二节点之间，其中第一可变电阻器具有用于基于由形成第一晶体管的工艺的变化引起的、第一晶体管的电流特性的改变来调整第一电流的第一电阻值。参考电压产生电路基于第一节点的电压和第一可变电阻器两端的电压提供参考电压。
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