半导体晶片的实施例包括半导体衬底、多个穿衬底通孔(TSV)以及导电层。这些TSV在第一衬底表面与第二衬底表面之间延伸。这些TSV包括各具有在第一方向上对准的主轴线的第一子组的沟槽通孔，以及各具有在第二不同方向上对准的主轴线的第二子组的沟槽通孔。这些TSV在该衬底的对准区中形成对准图案。该导电层直接连接到该第二衬底表面且连接到这些TSV的第一端。将这些TSV用于对准，该导电层可被图案化以使得该导电层的一部分直接耦合到这些TSV，并且因此该导电层包括至少一个导电材料空隙(例如，与在该第一衬底表面处的无源组件对准)。