用于可变输出电压SMPS的过电压保护

    公开(公告)号:CN119510870A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411160179.7

    申请日:2024-08-22

    Abstract: 公开了一种在从第一目标输出电压到较高的第二目标输出电压的转变期间检测可变输出SMPS的输出的过电压的方法,以及对应的设备和控制器,包括:确定表示输出电压的信号,其中所述输出电压是所述SMPS的输出电压;确定表示最大允许输出电压的时变信号;将表示所述输出电压的所述信号与表示最大允许输出电压的所述信号的瞬时值进行比较;以及响应于表示所述输出电压的所述信号大于表示最大允许输出电压的所述信号的瞬时值,指示过电压。还公开了一种包括此类方法控制器或设备的对应SMPS。

    具有交替式主雷达装置的分布式孔径汽车雷达系统

    公开(公告)号:CN111708025B

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202010145444.X

    申请日:2020-03-05

    Inventor: 吴浩云

    Abstract: 本公开涉及具有交替式主雷达装置的分布式孔径汽车雷达系统。提供了一种分布式孔径双基地雷达系统、设备、架构和方法,其用于相干地组合物理分布的雷达以通过交替地选择第一小孔径装置和第二小孔径装置作为主单元操作使得雷达信号按顺序从所述第一小孔径装置和所述第二小孔径装置中的每一个发射天线发射,由此使得所述雷达控制处理单元能够相干地组合来自所述第一小孔径雷达装置和所述第二小孔径雷达装置的单基地虚拟阵列孔径和双基地虚拟阵列孔径来以相干的方式共同产生目标场景信息,以构造比由所述第一小孔径雷达装置和所述第二小孔径雷达装置产生的双基地MIMO虚拟阵列孔径大的经过扩展的双基地MIMO虚拟阵列孔径。

    锁存比较器电路及方法
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111371437B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN201811608068.2

    申请日:2018-12-26

    Inventor: 章彬 黄燕 陈剑洛

    Abstract: 锁存比较器包括预放大器电路和锁存器电路。预放大器电路对差分输入信号对执行放大,并产生经预放大的差分信号对。锁存器电路接收经预放大的差分信号对,比较经预放大的差分信号对,以及产生经锁存的比较信号对。锁存器电路包括锁存器和开关电路。锁存器的第一和第二输入端接收经预放大的差分信号对。开关电路包括耦接在锁存器的第一和第二输入端中的一个的开关。开关接收经锁存的比较信号对中的一者以作为控制信号,以及响应于经锁存的比较信号对中的该者而切换。

    一种包含并联陷波滤波器的斩波稳定放大器

    公开(公告)号:CN110932673B

    公开(公告)日:2025-02-21

    申请号:CN201811098567.1

    申请日:2018-09-19

    Inventor: 樊勃 王猛

    Abstract: 一种包含并联陷波滤波器的斩波稳定放大器包括第一跨导放大器,第一斩波电路,其输出耦合到第一跨导放大器的输入,用于斩波输入信号并将斩波输入信号施加到第一跨导放大器的输入,以及第二斩波电路,其输入耦合到第一跨导放大器的输出用于斩波由第一跨导放大器产生的输出信号。乒乓陷波滤波器连接到第二斩波电路的输出,并对由第二斩波电路产生的斩波输出信号执行积分和传递功能,以滤波纹波电压。乒乓陷波滤波器包括并联连接的第一和第二陷波滤波器,每个陷波滤波器具有耦合到第二斩波电路的输出的输入。

    自举开关电路
    5.
    发明公开
    自举开关电路 审中-公开

    公开(公告)号:CN119483570A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202410982357.8

    申请日:2024-07-22

    Abstract: 本公开涉及一种自举开关电路。示例实施例包括一种自举开关电路,其包括:正输出节点(109+);负输出节点;第一输入节点,其被配置成接收第一输入电压;第二输入节点,其被配置成接收第二输入电压。第一、第二、第三和第四开关耦合在所述输入和输出节点之间。耦合在所述第一输入节点与第一时钟信号电路之间的第一负自举电平移位器和第一正自举电平移位器向所述第一和第二开关提供控制信号。耦合在所述第二输入节点与第二接地参考电源线之间的第二负自举电平移位器和第二正自举电平移位器向所述第三和第四开关提供控制信号。所述第一、第二、第三和第四开关中的每个开关包括呈串联连接布置的属于相反类型的第一和第二MOSFET。

    电平移位器电路
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119315977A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202410921014.0

    申请日:2024-07-10

    Inventor: 林韦廷

    Abstract: 一个例子公开一种电平移位器电路,所述电平移位器电路包括:输入端口,其被配置成接收输入信号(IN);输出端口,其被配置成传输输出信号(OUT);延迟电路,其经耦合以从所述输入信号(IN)生成经延迟输入信号(IN_DLY);脉冲生成器,其耦合到所述延迟电路且被配置成从所述输入信号与所述经延迟输入信号的组合生成脉冲信号;以及锁存电路,其耦合到所述脉冲生成器且被配置成响应于所述脉冲信号而生成和保持所述输出信号的状态。

    电池管理单元
    8.
    发明公开
    电池管理单元 审中-公开

    公开(公告)号:CN119315130A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202410810957.6

    申请日:2024-06-21

    Abstract: 本发明涉及一种电池管理单元BMU,其被配置成与多个电池单元监测电路CMC并行地通信,所述多个CMC被配置成提供对电池单元的监测且存储最初包括预定默认值的链标识符参数,其中所述BMU被配置成执行链标识符参数分配过程,所述链标识符参数分配过程包括将不同链标识符参数分配到所述多个CMC中的每一个,其中所述分配包括使用每一CMC的唯一ID以在分配相应的不同链标识符参数时个别地选择所述多个CMC中的每一个,其中每一CMC的所述唯一ID是由所述BMU响应于所述BMU被配置成使用所述预定默认值并行地向所述CMC发送一个或多个请求消息而接收,所述一个或多个请求消息请求所述CMC将其唯一ID报告给所述BMU。

    具有电介质间隔的晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:CN119230607A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410471556.2

    申请日:2024-04-19

    Abstract: 提供一种晶体管装置和制造方法,其中所述晶体管装置可以包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底的表面上的第一电介质层、直接设置在所述第一电介质层上的第二电介质层、直接设置在所述半导体衬底的所述表面上的栅极结构,以及间隔结构。穿过所述第一电介质层和所述第二电介质层的第一开口可以对应于栅极沟道。所述第一电介质层和所述第二电介质层的部分可以直接介于所述栅极结构的部分与所述半导体衬底的所述表面之间。所述间隔结构可以设置在所述栅极沟道中且介于所述栅极结构与所述半导体衬底之间。所述间隔结构可以与所述第一电介质层和所述第二电介质层的至少部分地限定所述栅极沟道的相应侧表面接触。

    具有场板和多部分栅极结构的半导体装置和其制造方法

    公开(公告)号:CN119029025A

    公开(公告)日:2024-11-26

    申请号:CN202410471577.4

    申请日:2024-04-19

    Inventor: 胡杰 B·格罗特

    Abstract: 本公开涉及具有场板和多部分栅极结构的半导体装置和其制造方法。一种半导体装置包括半导体衬底、源极电极和漏极电极、安置在所述半导体衬底的上表面上方的下部介电层,以及安置在所述下部介电层上方的中间介电层。所述装置还包括具有下部栅极电极和上部栅极电极的多部分栅极结构。所述下部栅极电极由第一导电层的第一部分形成。所述上部栅极电极由第二导电层形成。所述装置另外包括安置在所述下部栅极电极与所述漏极电极之间的下部场板。所述下部场板由所述第一导电层的第二部分形成。形成所述半导体装置的方法使得所述下部栅极电极和所述下部场板能够以自对准方式产生。

Patent Agency Ranking