发明授权
- 专利标题： 硅基负电极及其制备方法和锂离子电池
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申请号： CN201610911066.5申请日： 2016-10-19
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公开(公告)号： CN106374083B公开(公告)日： 2019-02-05
- 发明人: 王继生 , 孟亚斌 , 於志锋
- 申请人： 吉安市优特利科技有限公司
- 申请人地址： 江西省吉安市井冈山经济技术开发区南山大道292号
- 专利权人： 吉安市优特利科技有限公司
- 当前专利权人： 吉安市优特利科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江西省吉安市井冈山经济技术开发区南山大道292号
- 代理机构： 深圳中一专利商标事务所
- 代理商 左光明
- 主分类号： H01M4/134
- IPC分类号： H01M4/134 ; H01M4/62 ; H01M4/1395 ; H01M10/0525
摘要：
本发明提供了一种硅基负电极及其制备方法和锂离子电池。本发明硅基负电极包括，所述集流体具有相对设置的两个表面，一表面上涂设有第一活性层，另一表面上涂设有第二活性层。本发明硅基负电极结构稳定性稳定，电化学性能好，其制备方法工艺条件可控，制备的硅基负电极性能稳定。本发明锂离子电池含有硅基负电极，其循环性能稳定，使用寿命长，且安全性能高。
公开/授权文献
- CN106374083A 硅基负电极及其制备方法和锂离子电池 公开/授权日：2017-02-01