- 专利标题: 一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法
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申请号: CN201611025279.4申请日: 2016-11-21
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公开(公告)号: CN106409977B公开(公告)日: 2018-02-16
- 发明人: 田小让 , 张林 , 侯洪涛 , 赵冠超 , 谷士斌 , 杨荣 , 李立伟 , 孟原 , 郭铁
- 申请人: 新奥光伏能源有限公司
- 申请人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人: 新奥光伏能源有限公司
- 当前专利权人地址: 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号
- 代理机构: 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 黄志华
- 主分类号: H01L31/18
- IPC分类号: H01L31/18 ; H01L21/02 ; B08B3/08 ; C30B33/10
摘要:
本发明公开了一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法,该清洗方法包括:对太阳能电池硅片进行预清洗使得太阳能电池硅片表面产生氧化;采用氢氟酸、双氧水和盐酸的混合溶液对经过预清洗后的太阳能电池硅片进行刻蚀清洗。本发明实施例提供的上述清洗方法中在利用氢氟酸和双氧水对太阳能电池硅片的微刻蚀作用的基础上,又加入了盐酸对金属离子的络合作用,可以溶解残留的金属离子,进一步加强对太阳能电池硅片表面金属污染物的清洗效果,进而降低太阳能电池硅片表面的金属离子与太阳能电池硅片中的少子的复合,提高太阳能电池硅片中少子的寿命,从而提高太阳能电池的效率。
公开/授权文献
- CN106409977A 一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法 公开/授权日:2017-02-15