本发明提供了一种鳍形半导体器件及其制备方法。鳍形半导体器件制备方法包括：在半导体基体上覆盖氮化物层，图案化蚀刻去除指定区域氮化物层；覆盖第一氧化物层并磨平至氮化物层露出；图案化蚀刻氮化物层、第一氧化物层及半导体基体形成第一鳍形结构和第二鳍形结构；覆盖第二氧化物层以覆盖第一鳍形结构和第二鳍形结构；对第二氧化物层执行化学机械研磨以露出氮化物层；去除氮化物层；在去除氮化物层的位置进行外延生长以形成外延结构；完全去除第一氧化物层，减薄第二氧化物层，形成不同高度第一鳍形半导体结构和第二鳍形半导体结构；在垂直于鳍形沟道上依次覆盖高介电常数材料层和栅极材料层；执行化学机械研磨至外延结构露出。