本发明公开了一种发光二极管的制作方法，属于光电子制造技术领域。该方法包括在生长衬底上依次形成外延层和保护层，在保护层上形成若干延伸至衬底的凹槽，在保护层的保护下，通过凹槽对外延子层进行腐蚀，去除保护层，将露出的外延子层键合在转移衬底上，去除生长衬底，通过在外延层上形成保护层，在保护层上形成延伸至衬底的凹槽，将外延层分成相互独立的外延子层，并通过凹槽对外延子层进行腐蚀，使外延子层的侧面与外延子层的底面的夹角为直角或钝角，在将外延子层键合在转移衬底上并去除生长衬底之后，外延子层露出的夹角为直角或钝角，不容易受到损伤，从而提高了LED芯片的外观良率。