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公开(公告)号：CN118782708A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410819139.2
申请日：2024-06-24
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、银镜结构、绝缘结构、第一电极和第二电极。第一电极和第二电极包括依次层叠的接触层、反射层、包裹层和保护层，反射层和包裹层包括AlCu合金层，AlCu合金层中Cu含量为8～10％。8～10％的AlCu合金使得蒸发制程更稳定，不会产生金属颗粒，避免了上层膜层破裂，提高了LED良率。
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公开(公告)号：CN118712308A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410853580.2
申请日：2024-06-28
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种提高亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、第一绝缘层和金属反射层，所述第一绝缘层和所述金属反射层依次层叠在所述外延层的表面上，所述第一绝缘层至少覆盖所述外延层的表面，所述第一绝缘层具有第一通孔，所述金属反射层通过所述第一通孔与所述外延层电连接；所述第一绝缘层包括依次层叠在所述外延层上的第一反光层和第一反射层，所述第一反射层包括交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第一材料层的折射率小于所述第二材料层的折射率。本公开实施例能改善发光二极管的反射效果，提升发光亮度。
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公开(公告)号：CN118553822A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410382925.0
申请日：2024-04-01
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在发光结构的第一表面上形成掩膜层，掩膜层为非光刻胶材料层，掩膜层具有通孔，通孔的侧壁具有环形的凸起结构，环形的凸起结构在第一表面上的正投影位于通孔的与第一表面接触的一端的内部；在通孔中的第一表面上形成分布式布拉格反射层。本公开实施例能减少DBR层脱落的几率并提高DBR层的反射率，从而提高LED的可靠性和发光效率。
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公开(公告)号：CN118398728A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410382865.2
申请日：2024-04-01
申请人： 京东方华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该方法包括：在衬底上制作第一AlN层；在所述第一AlN层表面制作第二AlN层，所述第二AlN层的生长温度高于所述第一AlN层的生长温度，制作所述第二AlN层时采用的V/III比高于制作所述第一AlN层时采用的V/III比；在所述第二AlN层上制作交替层叠的m+1层第三AlN层和m层第四AlN层，所述第四AlN层的生长温度低于所述第三AlN层时的生长温度，制作所述第四AlN层时采用的V/III比低于制作所述第三AlN层时采用的V/III比；在所述第三AlN层上依次制作第一半导体层、有源层和第二半导体层。
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公开(公告)号：CN118173690A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410138972.0
申请日：2024-01-31
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该方法包括：在衬底表面依次制作第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述第二半导体层表面制作缓冲层；在所述缓冲层表面制作反射层；对所述反射层进行图形化处理，以形成第一图形化区域；对所述第一图形化区域底部的所述缓冲层进行图形化处理，以形成第二图形化区域；制作银镜结构层，所述银镜结构层覆盖所述反射层、所述第一图形化区域和所述第二图形化区域，所述银镜结构层通过所述第一图形化区域和所述第二图形化区域与所述第二半导体层连接，所述银镜结构层与所述反射层形成全方位反射镜结构。
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公开(公告)号：CN118099295A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410148161.9
申请日：2024-02-02
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成多个发光结构，发光结构包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，发光结构具有从第二半导体层的远离多量子阱层的表面向第一半导体层延伸的台面；在第二半导体层的第一表面所在的一侧形成透明导电层，中心区域中透明导电层的厚度大于环形区域中透明导电层的厚度；在台面上形成第一电极，并在透明导电层上形成第二电极，中心区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积小于环形区域中第二电极和透明导电层的接触面的面积。本公开实施例能提高LED的电压的一致性。
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公开(公告)号：CN118087034A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410109200.4
申请日：2024-01-25
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种石墨载盘及其温度确定方法，属于半导体领域。所述石墨载盘包括：石墨盘本体，所述石墨盘体上开设有多个凹槽；所述多个凹槽间隔分布在所述石墨盘本体的第一表面，所述石墨盘本体的所述第一表面包括发射率系数不同的多个区域。通过将石墨载盘表面设置为发射率系数不同的多个区域，从而石墨载盘的发射率系数取决于各个区域的发射率系数以及各区域所占盘面比例，从而采用该石墨载盘进行外延生长时，若某一区域的发射率系数发生变化，对石墨载盘的发射率系数的影响较小，并且不同区域的发射率系数的波动方向可能不同，实现发射率系数波动的中和，从而对采用石墨载盘的发射率系数获取到的石墨载盘辐射的能量的影响也较小。
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公开(公告)号：CN118039749A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410029384.3
申请日：2024-01-08
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法及制品，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底，衬底具有相连的中心区域和环形区域，环形区域围绕中心区域；在衬底上形成多个外延结构；在外延结构的第一表面上形成光刻胶层，光刻胶层具有电极制备孔，电极制备孔为锥形孔且贯穿光刻胶层，锥形孔的大端靠近第一表面，环形区域中光刻胶层的硬度大于中心区域中光刻胶层的硬度；在电极制备孔中和光刻胶层的远离第一表面的表面上形成第一金属层；在第一金属层上形成第二金属层。本公开实施例能提高LED的可靠性。
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公开(公告)号：CN113690351B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110739045.0
申请日：2021-06-30
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种微型发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型波导层、多量子阱层、P型波导层和电极接触层，所述发光二极管芯片还包括位于所述N型波导层和所述多量子阱层之间的调制层，所述调制层为掺氧和碳的氮化镓层。该外延片可以减小微型发光二极管中的缺陷和极化现象，提高芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN117913193A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311694546.7
申请日：2023-12-11
申请人： 华灿光电(浙江)有限公司
摘要： 本公开提供了一种具有稳固电流阻挡层的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：外延层、电流阻挡层和电极；电流阻挡层位于外延层的一面，电流阻挡层背向外延层的一面具有凹槽；电极至少部分位于凹槽内，且电极的外壁与凹槽的内壁相贴。本公开能够有效的避免电流阻挡层在压焊工序中被打碎。
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