- 专利标题: 具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件
- 专利标题(英): Spin-transfer torque memory (STTM) devices having magnetic contacts
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申请号: CN201480079621.1申请日: 2014-07-07
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公开(公告)号: CN106463168A公开(公告)日: 2017-02-22
- 发明人: B·S·多伊尔 , K·奥乌兹 , C·C·郭 , M·L·多齐 , S·苏里 , D·L·肯克 , R·S·周 , R·戈利扎德莫亚拉德
- 申请人: 英特尔公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚
- 专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人: 英特尔公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚
- 代理机构: 永新专利商标代理有限公司
- 代理商 陈松涛; 王英
- 国际申请: PCT/US2014/045606 2014.07.07
- 国际公布: WO2016/007126 EN 2016.01.14
- 进入国家日期: 2016-12-07
- 主分类号: G11C11/16
- IPC分类号: G11C11/16 ; H01L43/08
摘要:
公开了用于形成包括磁性隧道结(MTJ)(例如,具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件)的集成电路结构的技术。该技术包括并入附加磁性层(例如,与磁性接触层类似或相同的层),以使得该附加磁性层反铁磁地(或者以大体上反平行的方式)耦合。附加磁性层可以有助于平衡磁性接触层的磁场,以限制将以其它方式由磁性接触层引起的寄生边缘场。该附加磁性层可以例如通过在两个磁性层之间包括非磁性间隔体层来反铁磁地耦合到磁性接触层,由此创建合成的反铁磁体(SAF)。该技术可以例如有益于具有与MTJ叠置体的层大体上共线或大体上共面的磁性方向的磁性接触部。
公开/授权文献
- CN106463168B 具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件 公开/授权日:2020-11-17