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公开(公告)号：CN110192288B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201680091194.8
申请日：2016-12-28
申请人： 英特尔公司
发明人： J·布罗克曼 , C·维甘德 , M·T·拉赫曼 , D·韦莱特 , A·史密斯 , J·阿尔萨特维纳斯科 , C·郭 , M·多齐 , K·奥乌兹 , K·奥布莱恩 , B·多伊尔 , O·戈隆茨卡 , T·加尼
摘要： 一种装置包括：磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及在自由层和固定层之间的隧道势垒，所述隧道势垒直接接触自由层的第一侧；覆盖层，其接触自由磁层的第二侧；以及硼吸收层，其位于覆盖层上方的固定距离处。
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公开(公告)号：CN115863430A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211019872.3
申请日：2022-08-24
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/285 , H01L21/336
摘要： 本文公开的实施例包括晶体管器件和形成此类器件的方法。在实施例中，一种晶体管器件包括：第一沟道，其中，所述第一沟道包括半导体材料；以及位于第一沟道上方的第二沟道，其中，所述第二沟道包括所述半导体材料。在实施例中，第一间隔体位于所述第一沟道和所述第二沟道之间，并且第二间隔体位于所述第一沟道和所述第二沟道之间。在实施例中，第一栅极电介质位于第一沟道的朝向第二沟道的表面之上，并且第二栅极电介质位于第二沟道的朝向第一沟道的表面之上。在实施例中，第一栅极电介质与第二栅极电介质在物理上隔开。
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公开(公告)号：CN107924993B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201580082488.X
申请日：2015-09-18
申请人： 英特尔公司
摘要： 公开了用于制造自旋转移矩存储器(STTM)元件的技术。在一些实施例中，该技术包括用于去除再沉积的层和/或中断在STTM元件的一个或多个侧壁上形成的再沉积层在其形成期间的电气连续性的方法。还描述了包括这样的STTM元件的器件和系统。
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公开(公告)号：CN107275479B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710469491.8
申请日：2011-12-30
申请人： 英特尔公司
发明人： C·C·郭 , B·S·多伊尔 , A·雷什欧迪伊 , R·戈利扎德莫亚拉德 , K·奥乌兹
摘要： 公开了用于通过在垂直磁隧道结(MTJ)中实施附加铁磁层来增强垂直磁隧道结的性能的技术。例如可以在垂直MTJ的固定铁磁层或自由铁磁层中或者附近实施附加铁磁层。在一些实施例中，借助非磁性间隔体实施附加铁磁层，其中，可以调整附加铁磁层和/或间隔体的厚度，以充分平衡垂直MTJ的平行状态和反平行状态之间的能垒。在一些实施例中，配置附加铁磁层以使得其磁化与固定铁磁层的磁化相反。
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公开(公告)号：CN104137185B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201180075558.0
申请日：2011-12-20
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
摘要： 一种在磁存储器件的层上使接触部居中的方法。在一个实施例中，在包围上层的开口中形成间隔物，并在间隔物内形成接触部。间隔物由各向异性蚀刻的共形层形成，所述共形层沉积在上表面上并沉积到开口中。
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公开(公告)号：CN106796816A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201480081454.4
申请日：2014-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/3295 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 本发明提供用于磁性隧道结的材料层堆叠体。材料层堆叠体包括：在固定磁性层和自由磁性层之间的介质层；相邻于固定磁性层的过滤层；以及相邻于自由磁性层的插入层，其中插入层和过滤层中的至少一个包括具有1特斯拉或更小的磁通量密度的材料。
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公开(公告)号：CN106605267A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201480081490.0
申请日：2014-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： H01L43/12 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要： 一种方法，包括在包括与电介质材料的晶格类似的晶格的完全晶体的牺牲膜或衬底上形成包括位于固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层的器件叠置体；以及将器件叠置体从牺牲膜转移到器件衬底。一种装置，包括：器件叠置体，该器件叠置体包括位于器件衬底上的固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中，固定磁性层和自由磁性层各自的晶格与牺牲膜或衬底的晶格一致，其中所述固定磁性层和所述自由磁性层在转移到所述器件衬底之前形成在所述牺牲膜或衬底上。
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公开(公告)号：CN106575519A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201480081448.9
申请日：2014-09-26
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： G11C11/16
CPC分类号： G11C11/161 , H01F10/3286 , H01L27/222 , H01L43/10 , H01L43/12
摘要： 一种用于磁性隧道结的材料层叠置体，材料层叠置体包括：固定磁性层；电介质层；自由磁性层；以及非晶导电籽晶层，其中，固定磁性层设置在电介质层与籽晶层之间。一种非易失性存储器器件，包括材料叠置体，材料叠置体包括：非晶导电籽晶层；以及固定磁性层，其与籽晶层并置并接触。一种方法，包括：在存储器器件的第一电极上形成非晶籽晶层；在非晶籽晶层上形成材料层叠置体，材料叠置体包括设置在固定磁性层与自由磁性层之间的电介质层，其中固定磁性层。
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公开(公告)号：CN106463168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201480079621.1
申请日：2014-07-07
申请人： 英特尔公司
摘要： 公开了用于形成包括磁性隧道结(MTJ)(例如，具有磁性接触部的自旋转移矩存储器(STTM)器件)的集成电路结构的技术。该技术包括并入附加磁性层(例如，与磁性接触层类似或相同的层)，以使得该附加磁性层反铁磁地(或者以大体上反平行的方式)耦合。附加磁性层可以有助于平衡磁性接触层的磁场，以限制将以其它方式由磁性接触层引起的寄生边缘场。该附加磁性层可以例如通过在两个磁性层之间包括非磁性间隔体层来反铁磁地耦合到磁性接触层，由此创建合成的反铁磁体(SAF)。该技术可以例如有益于具有与MTJ叠置体的层大体上共线或大体上共面的磁性方向的磁性接触部。
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