发明公开
- 专利标题: 导电沟槽深度的感应监测
- 专利标题(英): Inductive monitoring of conductive trench depth
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申请号: CN201580029881.2申请日: 2015-06-18
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公开(公告)号: CN106463380A公开(公告)日: 2017-02-22
- 发明人: W·陆 , Z·王 , Z·王 , H·G·伊拉瓦尼 , D·J·本韦格努 , I·卡尔松 , B·A·斯伟德克 , W-C·图
- 申请人: 应用材料公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人: 应用材料公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 侯颖媖
- 优先权: 14/312,503 2014.06.23 US
- 国际申请: PCT/US2015/036520 2015.06.18
- 国际公布: WO2015/200101 EN 2015.12.30
- 进入国家日期: 2016-12-05
- 主分类号: H01L21/304
- IPC分类号: H01L21/304
摘要:
在制造具有带有多个导电互连件的层的集成电路时,抛光基板的层以提供所述集成电路的所述层。所述基板的所述层包括的导电线以提供导电互连件。所述基板的所述层包括由沟槽中的导电材料形成的封闭的导电环路。使用感应监测系统来监测沟槽中的导电材料的深度,并且生成信号。监测包括:生成间歇地通过所述封闭的导电环路的磁场。从信号中提取随时间进展的值序列,所述值序列表示随时间进展的导电材料的深度。
公开/授权文献
- CN106463380B 导电沟槽深度的感应监测 公开/授权日:2019-10-29
IPC分类: