公开(公告)号：CN106463380A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580029881.2

申请日：2015-06-18

申请人： 应用材料公司

发明人： W·陆 ,  Z·王 ,  Z·王 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  D·J·本韦格努 ,  I·卡尔松 ,  B·A·斯伟德克 ,  W-C·图

IPC分类号： H01L21/304

摘要： 在制造具有带有多个导电互连件的层的集成电路时，抛光基板的层以提供所述集成电路的所述层。所述基板的所述层包括的导电线以提供导电互连件。所述基板的所述层包括由沟槽中的导电材料形成的封闭的导电环路。使用感应监测系统来监测沟槽中的导电材料的深度，并且生成信号。监测包括：生成间歇地通过所述封闭的导电环路的磁场。从信号中提取随时间进展的值序列，所述值序列表示随时间进展的导电材料的深度。

公开(公告)号：CN111886686B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN201880083574.6

申请日：2018-09-26

申请人： 应用材料公司

发明人： D·A·伊万诺夫 ,  许昆 ,  D·M·盖奇 ,  H·Q·李 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  D·E·本内特 ,  K·L·什里斯塔

IPC分类号： H01L21/66 ,  B24B1/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/321

摘要： 一种通过原位电磁感应监测系统补偿半导体晶片的电导率对测得迹线的贡献的方法包括存储或产生经修改的参考迹线。经修改的参考迹线表示通过神经网络修改的由原位电磁感应监测系统对裸掺杂的参考半导体晶片的测量。通过原位电磁感应监测系统来监测基板，以产生取决于导电层的厚度的测得迹线，且将测得迹线的至少一部分应用于神经网络以产生经修改的测得迹线。产生经调整迹线，包括自经修改的测得迹线减去经修改的参考迹线。

公开(公告)号：CN106062933B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201580011133.1

申请日：2015-01-21

申请人： 应用材料公司

发明人： K·徐 ,  I·卡尔松 ,  B·A·斯伟德克 ,  D·E·本内特 ,  S-H·沈 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  W-C·图 ,  T-Y·刘

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/04 ,  B24B49/14

摘要： 本发明描述了一种在抛光工艺期间控制抛光的方法等。所述方法包括以下步骤：在时刻t处从原位监测系统接收经历抛光的基板的导电层的厚度的测量thick(t)；在时刻t处接收与导电层相关联的所测量的温度T(t)；计算在所测量的温度T(t)下的导电层的电阻率ρT；使用计算出电阻率ρT调整厚度的测量以生成经调整的所测量的厚度；以及基于经调整的所测量的厚度来检测抛光终点或对抛光参数的调整。

公开(公告)号：CN105659363A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057958.2

申请日：2014-10-28

申请人： 应用材料公司

发明人： K·徐 ,  S-H·沈 ,  B·A·斯伟德克 ,  I·卡尔松 ,  D·E·本内特 ,  W-C·图 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  T-Y·刘

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/005

摘要： 在一个方面，控制抛光的方法包括以下步骤：在抛光第一基板之前接收来自直联式或单机监测系统的对第一基板上的导电膜的初始厚度的测量；在抛光系统中抛光一个或更多个基板，所述一个或多个基板包括第一基板；在抛光所述一个或更多个基板的期间，利用涡电流监测系统监测所述一个或更多个基板以生成第一信号；确定用于第一基板的抛光的起始的、所述第一信号的起始值；对于在抛光所述一个或更多个基板中的至少一个基板的期间收集到的第一信号中的至少部分，基于起始值以及对初始厚度的测量来确定增益；以及基于第一信号和增益来计算第二信号。

公开(公告)号：CN113714934A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110534178.4

申请日：2017-10-05

申请人： 应用材料公司

发明人： H·G·伊拉瓦尼 ,  K·徐 ,  D·伊万诺夫 ,  S-H·沈 ,  B·A·斯韦德克

IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  G01N27/02 ,  H01L21/66

摘要： 一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁场以监测抛光垫正在抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和绕所述芯的一部分卷绕的线圈。芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱地从所述后部延伸并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开。所述间隙的宽度小于所述中心柱的宽度，且所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大至少两倍。

公开(公告)号：CN109906131B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201780068642.7

申请日：2017-10-05

申请人： 应用材料公司

发明人： H·G·伊拉瓦尼 ,  K·徐 ,  D·伊万诺夫 ,  S-H·沈 ,  B·A·斯韦德克

IPC分类号： B24B49/10 ,  B24B37/013 ,  H01L21/306

摘要： 一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁场以监测抛光垫正在抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和绕所述芯的一部分卷绕的线圈。芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱地从所述后部延伸并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开。所述间隙的宽度小于所述中心柱的宽度，且所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大至少两倍。

公开(公告)号：CN106415792B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201580029870.4

申请日：2015-06-18

申请人： 应用材料公司

发明人： W·陆 ,  Z·王 ,  W-C·图 ,  Z·王 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  B·A·斯伟德克 ,  F·C·雷德克 ,  W·H·麦克林托克

IPC分类号： H01L21/30

摘要： 一种用于集成电路的制造的基板具有带有多个导电互连件的层。所述基板包括：半导体主体；设置在所述半导体主体上方的电介质层；导电材料的多个导电线，设置在所述电介质层中的第一沟槽中以提供导电互连件；以及所述导电材料的封闭的导电环路结构，设置在所述电介质层中的第二沟槽中。所述封闭的导电环路不电性连接至导电线中的任一导电线。

公开(公告)号：CN106062933A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011133.1

申请日：2015-01-21

申请人： 应用材料公司

发明人： K·徐 ,  I·卡尔松 ,  B·A·斯伟德克 ,  D·E·本内特 ,  S-H·沈 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  W-C·图 ,  T-Y·刘

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/66

CPC分类号： B24B49/105 ,  B24B37/013 ,  B24B49/02 ,  B24B49/04 ,  B24B49/14

摘要： 本发明描述了一种在抛光工艺期间控制抛光的方法等。所述方法包括以下步骤：在时刻t处从原位监测系统接收经历抛光的基板的导电层的厚度的测量thick(t)；在时刻t处接收与导电层相关联的所测量的温度T(t)；计算在所测量的温度T(t)下的导电层的电阻率ρT；使用计算出电阻率ρT调整厚度的测量以生成经调整的所测量的厚度；以及基于经调整的所测量的厚度来检测抛光终点或对抛光参数的调整。

公开(公告)号：CN113714934B

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202110534178.4

申请日：2017-10-05

申请人： 应用材料公司

发明人： H·G·伊拉瓦尼 ,  K·徐 ,  D·伊万诺夫 ,  S-H·沈 ,  B·A·斯韦德克

IPC分类号： B24B49/04 ,  B24B49/10 ,  G01N27/02 ,  H01L21/66

摘要： 一种用于化学机械抛光的装置包括支撑件和电磁感应监测系统，所述支撑件用于具有抛光表面的抛光垫，所述电磁感应监测系统产生磁场以监测抛光垫正在抛光的基板。电磁感应监测系统包括芯和绕所述芯的一部分卷绕的线圈。芯包括后部、中心柱和环形边缘，所述中心柱在与所述抛光表面正交的第一方向上从所述后部延伸，所述环形边缘平行于所述中心柱地从所述后部延伸并且所述环形边缘围绕所述中心柱且与所述中心柱以一间隙间隔开。所述间隙的宽度小于所述中心柱的宽度，且所述环形边缘的顶表面的表面积比所述中心柱的顶表面的表面积大至少两倍。

公开(公告)号：CN117325073A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311304395.X

申请日：2018-04-13

申请人： 应用材料公司

发明人： 许昆 ,  H·G·伊拉瓦尼 ,  D·伊万诺夫 ,  B·A·斯韦德克 ,  S-H·沈 ,  H·Q·李 ,  B·切里安

IPC分类号： B24B37/005 ,  B24B37/34 ,  H01L21/304 ,  G06N3/045 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/048 ,  G06N3/084

摘要： 一种在抛光站抛光基板上的层的方法，包含以下动作：于在抛光站抛光期间利用原位监测系统监测所述层，以针对所述层上的多个不同位置产生多个所测得信号；针对多个不同位置中的每一位置，产生所述位置的对厚度的估算测量结果，产生步骤包含通过神经网络处理多个所测得信号；以及以下步骤中的至少一者：基于每一个对厚度的估算测量结果检测抛光终点或修改抛光参数。