- 专利标题: 包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成器件
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申请号: CN201580022679.7申请日: 2015-04-17
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公开(公告)号: CN106463496B公开(公告)日: 2019-03-26
- 发明人: S·顾 , R·拉多伊契奇 , D·W·金 , J·S·李
- 申请人: 高通股份有限公司
- 申请人地址: 美国加利福尼亚州
- 专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人: 高通股份有限公司
- 当前专利权人地址: 美国加利福尼亚州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 唐杰敏
- 优先权: 61/988,853 2014.05.05 US
- 国际申请: PCT/US2015/026451 2015.04.17
- 国际公布: WO2015/171288 EN 2015.11.12
- 进入国家日期: 2016-11-03
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L25/065 ; H01L21/48 ; H01L21/60 ; H01L21/56 ; H01L23/14 ; H01L23/15 ; H01L23/498 ; H01L25/10
摘要:
一种集成器件(例如,集成封装),其包括集成器件的基底部分、第一管芯(206)(例如,第一晶片级管芯)、和第二管芯(208)(例如,第二晶片级管芯)。基底部分包括第一无机电介质层(203),位于第一无机电介质层中的第一组互连(280),不同于第一无机电介质层的第二电介质层(202),以及第二电介质层中的一组重分布金属层(230,240,250,260)。第一管芯耦合至基底部分的第一表面。第二管芯耦合至基底部分的第一表面,第二管芯通过第一组互连(280)电耦合至第一管芯。
公开/授权文献
- CN106463496A 包括无机层中的高密度互连和有机层中的重分布层的集成器件 公开/授权日:2017-02-22
IPC分类: