发明授权
CN106469710B 一种方法、一种半导体器件以及一种层布置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种方法、一种半导体器件以及一种层布置
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申请号: CN201610698354.7申请日: 2016-08-19
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公开(公告)号: CN106469710B公开(公告)日: 2020-01-21
- 发明人: S·R·耶杜拉 , R·佩尔泽 , S·韦勒特
- 申请人: 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址: 德国诺伊比贝尔格
- 专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人: 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 德国诺伊比贝尔格
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 郑立柱
- 优先权: 14/831,937 2015.08.21 US
- 主分类号: H01L23/52
- IPC分类号: H01L23/52 ; H01L23/488 ; H01L21/768
摘要:
一种半导体器件可以包括:衬底;金属化层,被布置成以下中的至少一种:在衬底中或在衬底之上;至少部分布置在金属化层之上的保护层,其中金属化层包括铜、铝、金、银中的至少一种,并且其中保护层包括氮化物材料,氮化物材料包括铜、铝、金、银中的至少一种。
公开/授权文献
- CN106469710A 一种方法、一种半导体器件以及一种层布置 公开/授权日:2017-03-01
IPC分类: