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公开(公告)号：CN105261600A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510571361.6
申请日：2015-07-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/373 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/427 , H01L21/4871 , H01L21/76838 , H01L23/4275 , H01L23/53209 , H01L23/53214 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法。一种导电元件(200)包括导电材料(210)以及多个相变化材料的夹杂物(220)。该相变化材料具有在150°和400°之间的相变温度Tc。该夹杂物(220)彼此分离并嵌入导电材料(210)中。
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公开(公告)号：CN104576314A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410524598.4
申请日：2014-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
摘要： 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN113471162A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110735338.1
申请日：2017-09-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN107863332A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710854614.X
申请日：2017-09-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/2855 , H01L24/03 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L29/861 , H01L2224/29005 , H01L2224/29082 , H01L2224/29083 , H01L2224/29084 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32145 , H01L2224/8309 , H01L2924/13055 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L24/83 , H01L2021/60007 , H01L2224/29026 , H01L2224/831 , H01L2224/83801 , H01L2924/0132
摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN104576314B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410524598.4
申请日：2014-10-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： S·R·耶杜拉 , K·H·加瑟 , S·韦勒特 , K·迈尔 , F·J·桑托斯罗德里奎兹
CPC分类号： H01L23/562 , H01L21/288 , H01L21/4814 , H01L21/6835 , H01L23/49838 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05084 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05687 , H01L2224/27002 , H01L2224/27005 , H01L2224/2732 , H01L2224/2747 , H01L2224/29011 , H01L2224/29014 , H01L2224/29021 , H01L2224/29023 , H01L2224/29035 , H01L2224/29036 , H01L2224/29111 , H01L2224/29147 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/29393 , H01L2224/32245 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01023 , H01L2924/01015 , H01L2924/04941 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05124 , H01L2224/05187 , H01L2924/0665 , H01L2924/01006 , H01L2924/0105 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2224/03 , H01L2224/27 , H01L2924/0781 , H01L2924/07802
摘要： 本发明提供用于处理晶片的方法和晶片结构。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：从晶片的内部部分去除晶片材料，以在所述晶片的边缘区形成至少部分地包围所述晶片的内部部分的结构；以及使用所述结构作为印刷掩模，将材料印刷到所述晶片的内部部分中。根据各种实施例的用于处理晶片的方法可包括：提供托架和晶片，所述晶片具有第一面和与所述第一面相对的第二面，其中所述晶片的所述第一面附着于所述托架，所述第二面具有位于所述晶片的边缘区的结构，所述结构至少部分地包围所述晶片的内部部分；以及，将材料印刷到所述晶片的所述第二面的至少一部分上。
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公开(公告)号：CN106469710A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610698354.7
申请日：2016-08-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/488 , H01L21/768
摘要： 一种半导体器件可以包括：衬底；金属化层，被布置成以下中的至少一种：在衬底中或在衬底之上；至少部分布置在金属化层之上的保护层，其中金属化层包括铜、铝、金、银中的至少一种，并且其中保护层包括氮化物材料，氮化物材料包括铜、铝、金、银中的至少一种。
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公开(公告)号：CN107863332B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201710854614.X
申请日：2017-09-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： G·阿德马 , T·贝尔托 , M·埃曼 , P·弗兰克 , E·格雷茨 , K·卡尔洛夫斯基 , E·纳佩特施尼格 , W·罗布尔 , T·施密特 , J·塞弗特 , F·瓦格纳 , S·韦勒特
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/58
摘要： 示出了一种电子器件、一种包括所述电子器件的电子模块及其制造方法。所述电子器件包括半导体衬底和设置在所述半导体衬底上的金属堆叠体，其中，所述金属堆叠体包括第一层，其中，所述第一层包括NiSi。
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公开(公告)号：CN112542436A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202010986411.8
申请日：2020-09-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/48 , C22C21/10 , C22C21/16 , C22C21/06 , C22C21/00 , C22C21/02 , C22C21/08 , C22C21/12 , C23C14/14
摘要： 半导体衬底(100)具有接合焊盘(110)。所述接合焊盘(110)包括铝合金层，所述铝合金所具有的化学成分包括选自Zn、Mg、Cu、Si和Sc的主要合金元素。如果主要合金元素是Cu，则所述化学成分还包括选自Ti、Mg、Ag和Zr的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN106469710B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201610698354.7
申请日：2016-08-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/52 , H01L23/488 , H01L21/768
摘要： 一种半导体器件可以包括：衬底；金属化层，被布置成以下中的至少一种：在衬底中或在衬底之上；至少部分布置在金属化层之上的保护层，其中金属化层包括铜、铝、金、银中的至少一种，并且其中保护层包括氮化物材料，氮化物材料包括铜、铝、金、银中的至少一种。
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公开(公告)号：CN105261600B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201510571361.6
申请日：2015-07-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/373 , H01L21/60
摘要： 本发明涉及导电元件、包含导电元件的功率半导体器件及制备方法。一种导电元件(200)包括导电材料(210)以及多个相变化材料的夹杂物(220)。该相变化材料具有在150°和400°之间的相变温度Tc。该夹杂物(220)彼此分离并嵌入导电材料(210)中。
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