- 专利标题: 一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法
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申请号: CN201610959974.1申请日: 2016-10-27
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公开(公告)号: CN106495687B公开(公告)日: 2019-11-05
- 发明人: 刘泳斌 , 王妍 , 高景晖 , 钟力生 , 于钦学
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 齐书田
- 主分类号: C04B35/468
- IPC分类号: C04B35/468 ; C04B35/626 ; C04B41/88 ; H01G4/12
摘要:
本发明公开了一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法,该介电陶瓷的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xBaSnO3,x为摩尔百分比,其中0.03≤x≤0.15,本发明采用固相合成的制备方法,得到了具有低电场下高储能性能的介电陶瓷,本发明的成分及工艺步骤简单、易于操作、重复性好;主要应用于高集成度小型化的便携和可穿戴电子设备等领域。
公开/授权文献
- CN106495687A 一种低电场、高能量密度的介电陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2017-03-15
IPC分类: