- 专利标题: 基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法
-
申请号: CN201610908299.X申请日: 2016-10-18
-
公开(公告)号: CN106501305B公开(公告)日: 2019-05-28
- 发明人: 吴思伟 , 吴行阳 , 杨连乔 , 张建华 , 殷录桥 , 李起鸣 , 特洛伊·乔纳森·贝克
- 申请人: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学,镓特半导体科技(上海)有限公司
- 当前专利权人: 上海大学,镓特半导体科技(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 上海光华专利事务所
- 代理商 姚艳
- 主分类号: G01N25/20
- IPC分类号: G01N25/20
摘要:
本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法,至少包括:提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板;在相同的室内环境下,分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据;其中,每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度,所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度,以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度;利用两组所述出射度数据,计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率,进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜,增强功率器件的散热效率,降低芯片的结温。
公开/授权文献
- CN106501305A 基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法 公开/授权日:2017-03-15