基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法

    公开(公告)号:CN106501305B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201610908299.X

    申请日:2016-10-18

    IPC分类号: G01N25/20

    摘要: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法,至少包括:提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板;在相同的室内环境下,分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据;其中,每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度,所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度,以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度;利用两组所述出射度数据,计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率,进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜,增强功率器件的散热效率,降低芯片的结温。

    一种封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN106997873A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201610952570.X

    申请日:2016-10-27

    IPC分类号: H01L23/373 H01L29/872

    摘要: 本发明提供一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片,其中:所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。本发明的封装方法采用化学气相沉积法在散热基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜,可以在不影响MPS电学特性的情况下,大幅提高器件的散热能力,降低器件热阻与结温。同时,借助于石墨烯优异的表面热辐射性能,可进一步提高器件的散热性能。本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管,而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片,并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合,具有广泛的工业前景。

    基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法

    公开(公告)号:CN106501305A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610908299.X

    申请日:2016-10-18

    IPC分类号: G01N25/20

    CPC分类号: G01N25/20

    摘要: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法,至少包括:提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板;在相同的室内环境下,分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据;其中,每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度,所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度,以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度;利用两组所述出射度数据,计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率,进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜,增强功率器件的散热效率,降低芯片的结温。

    一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构

    公开(公告)号:CN106399960B

    公开(公告)日:2019-02-05

    申请号:CN201610906994.2

    申请日:2016-10-18

    摘要: 本发明提供一种绝缘导热薄膜的制备方法及封装结构,所述方法包括如下步骤:S1:提供一基板,在所述基板上形成金属单质层;所述金属单质为铝或钛;S2:在所述金属单质层上形成相应金属的掺硅化合物层;S3:在所述掺硅化合物层上形成类金刚石绝缘导热薄膜。本发明结合磁控溅射与射频化学气相沉积技术,在基板上沉积与基板结合力良好的类金刚石绝缘导热薄膜,达到高导热、高绝缘性的效果。本发明制备的类金刚石绝缘导热薄膜可以很好的应用于MPS二极管铜或铝合金基板上,作为封装结构中绝缘和导热散热层来使用,且不局限于MPS二极管铜或铝合金基板上使用,还可以应用于其他类型的需要快速散热并需要绝缘的基板上面,具有广泛的工业前景。