- 专利标题: 一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法
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申请号: CN201610887109.0申请日: 2016-10-11
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公开(公告)号: CN106524935B公开(公告)日: 2019-01-18
- 发明人: 何巍 , 祝连庆 , 娄小平 , 董明利 , 李红 , 姚齐峰 , 辛璟焘
- 申请人: 北京信息科技大学
- 申请人地址: 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院
- 专利权人: 北京信息科技大学
- 当前专利权人: 北京信息科技大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院
- 代理机构: 北京律恒立业知识产权代理事务所
- 代理商 顾珊; 庞立岩
- 主分类号: G01B11/16
- IPC分类号: G01B11/16
摘要:
本发明提供了一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法,所述应变测量方法包括如下步骤:a、搭接双程MZ结构,所述双程MZ结构包括光源、第一光耦合器、第二光耦合器以及第一光纤、第二光纤、第三光纤和第四光纤;b、将长周期光纤光栅熔接到所述双程MZ结构中,其中将刻有长周期光纤光栅的光纤两端分别与第三光纤和第四光纤熔接,所述长周期光纤光栅构成双程MZ结构的反射端;c、将b熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构整体结构置于温箱中,改变温控箱的应变,利用光谱仪监测波长移动;d、绘制波长与应变变化的关系曲线,利用所述关系曲线对待测应变材料的应变进行测量。本发明能够有效降低透射峰的宽度,提高测量的精确度。
公开/授权文献
- CN106524935A 一种熔接长周期光纤光栅的双程MZ结构测量应变的方法 公开/授权日:2017-03-22