发明授权
- 专利标题: 一种背结背接触太阳能电池
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申请号: CN201611255784.8申请日: 2016-12-30
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公开(公告)号: CN106531816B公开(公告)日: 2019-02-05
- 发明人: 孙昀 , 贾锐 , 姜帅 , 陶科 , 孙恒超 , 戴小宛 , 金智 , 刘新宇
- 申请人: 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 赵青朵
- 主分类号: H01L31/0216
- IPC分类号: H01L31/0216 ; H01L31/0224 ; H01L31/048
摘要:
本发明提供了一种背结背接触太阳能电池,包括,基片;复合在所述基片前表面的受光复合层;复合在所述基片背表面的第二钝化层和第一电极复合层;所述第二钝化层和所述第一电极复合层交替设置;复合在所述第二钝化层表面的第二型掺杂半导体层;设置在所述第二型掺杂半导体层上的第二电极。本发明提出的载流子选择的背结背接触太阳能电池,利用第二型掺杂半导体层载流子选择性的特性,将第二型掺杂半导体层设置于钝化层上作为电池背光面的发射极,而金属直接与发射极电接触。由于发射极具有优异表面钝化、只允许多数载流子纵向输运的载流子选择特性,且具有电池制备工艺简单、成本低的特点。
公开/授权文献
- CN106531816A 一种背结背接触太阳能电池 公开/授权日:2017-03-22
IPC分类: