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公开(公告)号：CN115425075B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211021554.0
申请日：2022-08-24
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种平面栅IGBT器件，其背部存在异质结，通过异质结存储并导通过剩载流子，大大提升器件的关断速度，显著降低器件的关断时间和关断损耗，同时不影响器件的击穿电压与栅极氧化物电场强度，更好地实现了器件正向导通压降与关断损耗之间的折衷。本发明还涉及平面栅IGBT器件的制备方法，其与传统的SiC IGBT制备工艺适配。
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公开(公告)号：CN118486704A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410673681.1
申请日：2024-05-28
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L23/373 , H01L29/04 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明涉及一种半导体复合材料及其制备方法与器件，属于半导体技术领域，用以解决现有GaN器件近结区域散热效率低、晶圆键合引起界面热阻高等问题中的至少一个。本发明设计了一种新结构的半导体复合材料，所述的复合材料通过晶圆键合将斜切衬底层和GaN材料层连接，避免引入缓冲层结构，斜切衬底层与衬底材料轴存在夹角，形成具有转角的斜切衬底层，带有转角的斜切衬底层与GaN材料层通过晶圆键合，可以降低晶圆键合后键合界面的界面热阻能够有效的提高GaN大功率器件散热效率，进而提升其输出功率密度。
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公开(公告)号：CN113271067B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H03F1/07
摘要： 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN117672847A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211029060.7
申请日：2022-08-25
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L21/28 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L29/45 , H01L29/778
摘要： 本发明提供了一种晶体管欧姆接触的制备方法及晶体管欧姆接触器件，该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成缓冲层；在缓冲层上形成超薄势垒层；在势垒层上形成金属堆栈图案；对金属堆栈图案进行高温退火处理，使金属堆栈图案与势垒层之间欧姆接触；在势垒层及金属堆栈图案的表面形成双层钝化层恢复沟道2DEG。通过优化工艺顺序，在形成金属堆栈图案之后，先做高温退火处理实现超低电阻的欧姆接触，之后在势垒层及金属堆栈图案表面形成钝化层做钝化处理，可以避免高温退火损坏钝化层，有利于提高Al(In,Ga)N/GaN HEMT的频率特性，为增强型射频器件功率器件的产业化提供了可行性方案，为高频增强型射频器件的制造奠定工艺基础，拓宽Al(In,Ga)N/GaN HEMT在微波射频领域的应用。
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公开(公告)号：CN117672832A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211050396.1
申请日：2022-08-30
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L21/28
摘要： 本发明提供一种栅极结构的制备方法，该制备方法包括：在基片上涂第一光刻胶，形成第一光刻层；在第一光刻层上形成第一刻蚀窗口，第一刻蚀窗口定义基础栅极结构的形状和位置；在第一刻蚀窗口内形成基础栅极结构；涂覆第二光刻胶，形成第二光刻层，第二光刻层覆盖基础栅极结构；去除基础栅极结构正上方的第二光刻胶，形成第二刻蚀窗口，第二刻蚀窗口定义加厚栅极结构的形状和位置；利用化学镀金法在第二刻蚀窗口内形成加厚栅极结构；清除基片上所有的光刻胶。本发明能够在增加栅极厚度的同时，降低器件的制备成本，提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN117393581A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311358353.4
申请日：2023-10-19
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778
摘要： 本发明提供一种MIS晶体管，包括：GaN缓冲层；AlGaN势垒层，形成在GaN缓冲层表面，与GaN缓冲层构成形成AlGaN/GaN异质结；其中，AlGaN势垒层与GaN缓冲层表面之间形成有二维电子气沟道区域；二维电子气层，设置在二维电子沟道区域，其中，在MIS晶体管未增加栅极电压时，二维电子气层在二维电子沟道区域的第一范围内处于电子耗尽状态；AlN极化增强插入层，形成在AlGaN势垒层表面，使二维电子气在二维电子沟道区域的第一范围外为电子积累状态。本发明通过AlGaN势垒层实现了电子的本征耗尽，通过AlN极化增强插入层来恢复电子积累状态，使得MIS晶体管实现了增强型，并具有、高性能、高稳定性和高均匀性。
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公开(公告)号：CN116974978A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310953047.9
申请日：2023-07-31
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明公开一种混合驱动器及其驱动方法、串行通信设备，涉及通信技术领域，以解决在串行通信设备中，现有的驱动器在实现高差分输出摆幅的同时会增加更多功耗的问题。所述混合驱动器应用于串行通信设备，所述串行通信设备包括串行器，所述混合驱动器和串行器电连接，所述混合驱动器包括：源极串联端接驱动模块、差分对模块以及负载模块。源极串联端接驱动模块的控制端与串行器的输出端电连接，源极串联端接驱动模块还与供电电压端电连接。源极串联端接驱动模块的第一差分输出端通过差分对模块的第一输出端与负载模块的第一端电连接，源极串联端接驱动模块的第二差分输出端通过差分对模块的第二输出端与负载模块的第二端电连接。
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公开(公告)号：CN116666199B
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310960260.2
申请日：2023-08-02
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本发明涉及一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方法，属于半导体材料与器件技术领域，解决了现有碳化硅晶圆与金刚石直接键合后高温退火剥离薄膜时存在高应力的问题和键合界面漏电问题。该制造方法包括：向体SiC的表面垂直注入H离子；对体SiC离子注入面表面进行光滑化、原子原位沉积与活化，对Si衬底的表面进行表面活化；将体SiC离子注入面与Si衬底的活化面键合，形成体SiC/Si复合衬底；对体SiC/Si复合衬底进行高温退火，SiC薄膜从体SiC上剥离，与Si衬底构成SiC/Si复合载体；对Si衬底上SiC薄膜表面进行光滑化；将Si衬底上SiC表面与金刚石衬底键合；去除Si衬底。本发明有效解决了金刚石与SiC键合后的高温剥离退火工艺带来的高应力。
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公开(公告)号：CN116436460A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310271094.5
申请日：2023-03-16
申请人： 中国科学院微电子研究所
摘要： 本申请提供了一种数模转换器的温度计译码电路和数模转换器，该电路包括：第一温度计译码加扰电路和第二温度计译码加扰电路，第一温度计译码加扰电路、第二温度计译码加扰电路均与数模转换器的电流源阵列连接；数模转换器为2n位单位加权的数模转换器，n为正整数；第一温度计译码加扰电路用于对低n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第一组目标温度计码；第二温度计译码加扰电路用于对高n位二进制码数据分别进行温度计译码和随机加扰，输出第二组目标温度计码；第一组目标温度计码和第二组目标温度计码均输入至电流源阵列，以实现电流源阵列的开关时序的控制。本申请降低了电路规模，能够达到功能和电路复杂度的良好折中。
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公开(公告)号：CN116432368A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210003374.3
申请日：2022-01-04
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： G06F30/20 , G06F113/18 , G06F119/08
摘要： 本公开提供一种热电联合仿真方法及装置，方法包括：构建散热模型和热电仿真模型；获取用于表示器件热容随热阻变化规律的实际结构函数；对所述散热模型和热电仿真模型进行校准，以使得根据所述散热模型和热电仿真模型得到的仿真结构函数与所述实际结构函数对应的变化规律一致。该方法及装置可以大幅度提高热电仿真的准确性和精确性，提高了器件的设计和测试的效率，并且，极大地减少浪涌、短路等破坏性试验的次数，降低测试及研发成本。
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