Invention Publication
- Patent Title: 一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法
- Patent Title (English): Nano-composite structured Mg<2>Ge/Mg<3>Sb<2> thermoelectric material and preparation method therefor
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Application No.: CN201611168970.8Application Date: 2016-12-16
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Publication No.: CN106531879APublication Date: 2017-03-22
- Inventor: 赵德刚 , 吴迪 , 宁纪爱 , 左敏 , 王振卿
- Applicant: 济南大学
- Applicant Address: 山东省济南市市中区南辛庄西路336号
- Assignee: 济南大学
- Current Assignee: 新泰市华泰电缆辅材有限公司
- Current Assignee Address: 271200 山东省泰安市青云街道辉城村村西1000米
- Agency: 济南泉城专利商标事务所
- Agent 贾波
- Main IPC: H01L35/34
- IPC: H01L35/34 ; H01L35/18 ; C22C1/04 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00

Abstract:
本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法,该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成,其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中,Mg2Ge的尺寸为10-20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料,所得热电材料热电材料属于p型热电材料,增加了声子散射,大大降低了热导率,提高了赛贝克系数,具有较好的热电性能。
Public/Granted literature
- CN106531879B 一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法 Public/Granted day:2018-10-12
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