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公开(公告)号：CN118512929A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410615818.8
申请日：2024-05-17
申请人： 济南大学
摘要： 本发明提供一种基于TPB‑DMTP‑COF的正渗透膜及制备方法、用途，属于膜分离技术领域。本发明所提供的基于TPB‑DMTP‑COF的正渗透膜，以正渗透膜的原料组分的总质量为基准计，所述正渗透膜包括以下原料组分及质量百分比：聚合物膜材料8.0％～18.0％，致孔剂1.0％～12.0％，TPB‑DMTP‑COF 0.05％～0.5％，混合溶剂70.0～80.9％。本发明中将共价有机骨架材料TPB‑DMTP‑COF引入到聚合物中制备混合基质正渗透膜，有效地改善了混合基质正渗透膜的结构和性能，提高了所制备混合基质正渗透膜的机械性能、渗透性能和分离性能。
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公开(公告)号：CN109100419A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811288882.0
申请日：2018-10-31
申请人： 山东大学 , 山东亚历山大智能科技有限公司 , 济南大学
IPC分类号： G01N27/90
摘要： 本发明涉及一种活塞喉口电涡流探伤设备及其应用，包括机械主体、工装夹具、可伸缩型电涡流探伤仪、运动机构；所述可伸缩型电涡流探伤仪安装在运动机构上，运动机构安装在机械主体上，工装工具安装在机械主体上并位于可伸缩型电涡流探伤仪一侧。本发明将待检测活塞放入工装夹具，通过调整可伸缩型电涡流探伤仪的位置，对活塞喉口进行智能检测。本发明活塞喉口探伤设备，能够自动判断产品合格与否，自动化程度高，可以提高活塞喉口检测的效率并减少人为误差。且设备可满足多种型号活塞的检测，使用范围广。本发明操作简单方便，大大减少了检测人员的工作量，使活塞检测过程更加高效、智能。
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公开(公告)号：CN106531879A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611168970.8
申请日：2016-12-16
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10-20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。
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公开(公告)号：CN108511594B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201810553132.5
申请日：2018-06-01
申请人： 济南大学
摘要： 一种CuInSe2/CuInTe2热电复合材料的制备方法，采用熔融‑退火法制得Te缺位的CuInTe2‑x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，得到CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体，将该复合材料粉体进行急速热压烧结，得最终产品。本发明避免了传统方法制备时第二相分布不均匀、容易偏聚等缺点，同时可以通过控制渗硒的工艺参数来实现第二相CuInSe2的精确控制，具有制备工艺简单、重复性好、可控性强、操作方便等优点，产业化前景良好，制备出的CuInSe2/CuInTe2热电复合材料热电优值ZT高，具有优良的热电性能，可大批量生产，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN107445621B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710796075.9
申请日：2017-09-06
申请人： 济南大学
IPC分类号： C04B35/547 , C04B35/622
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法，该复合材料中Cu‑Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2‑1.2%。本发明制备的Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料表现出较好的热电性能，大幅提升了Cu2SnSe3基体的ZT值；制备所需工艺操作简单、参数可控、适用于较大规模生产。
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公开(公告)号：CN109100736A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811288854.9
申请日：2018-10-31
申请人： 山东大学 , 山东亚历山大智能科技有限公司 , 济南大学
IPC分类号： G01S17/08
摘要： 本发明涉及一种激光长度检测装置及其检测方法，包括检测台以及立于检测台两侧的检测机构，检测台包括支架及位于支架顶部的链式输送带，检测机构包括支撑座和激光测距传感器，激光测距传感器通过激光发射调整机构安装在支撑座上。本发明检测装置，通过链式输送带将被测产品运送到待检工位，由两侧的激光测距传感器测量被测产品两端与激光测距传感器之间的距离，后续结合其他已知参数利用参数便可轻松快速地得到待测产品的长度。本发明激光长度检测装置结构设计巧妙、操作简单、人工干预少、自动化程度高，满足多种长度产品长度的检测要求，其检测结果精确、效果优良。
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公开(公告)号：CN106531879B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201611168970.8
申请日：2016-12-16
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种纳米复合结构的Mg2Ge/Mg3Sb2热电材料及其制备方法，该热电材料由Mg3Sb2基体相和Mg2Ge纳米相构成，其中Mg2Ge纳米相分散在Mg3Sb2基体相中，Mg2Ge的尺寸为10‑20nm。本发明通过熔融、熔体旋甩并结合放电等离子烧结的方法制备热电材料，所得热电材料热电材料属于p型热电材料，增加了声子散射，大大降低了热导率，提高了赛贝克系数，具有较好的热电性能。
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公开(公告)号：CN108511594A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810553132.5
申请日：2018-06-01
申请人： 济南大学
摘要： 一种CuInSe2/CuInTe2热电复合材料的制备方法，采用熔融-退火法制得Te缺位的CuInTe2-x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，得到CuInSe2/CuInTe2热电复合材料粉体，将该复合材料粉体进行急速热压烧结，得最终产品。本发明避免了传统方法制备时第二相分布不均匀、容易偏聚等缺点，同时可以通过控制渗硒的工艺参数来实现第二相CuInSe2的精确控制，具有制备工艺简单、重复性好、可控性强、操作方便等优点，产业化前景良好，制备出的CuInSe2/CuInTe2热电复合材料热电优值ZT高，具有优良的热电性能，可大批量生产，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN108461619A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810553138.2
申请日：2018-06-01
申请人： 济南大学
摘要： 本发明公开了一种Se掺杂方钴矿热电材料的制备方法，采用熔融-退火法制得制得Sb缺位的CoSb3-x热电材料粉体，将该粉体进行渗硒处理，然后进行急速热压烧结，得最终产品。本发明利用渗硒工艺对方钴矿热电材料进行掺杂，较好的实现了Se元素的均匀掺杂，避免了传统方法的掺杂不均匀，之后通过急速热压烧结工艺制备出块体的Se掺杂方钴矿热电材料，该制备方法工艺简单方便、重复性好、可控性强、操作方便，可以通过控制渗硒的工艺参数来实现硒掺加量的精确控制，可用于大批量生产，产业前景良好。制备得到的Se掺杂方钴矿热电材料具有优良的热电性能，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN106684236A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611155280.9
申请日：2016-12-14
申请人： 济南大学
摘要： 本发明涉及一种高性能的Cu2GeTe3热电材料的制备方法。Cu粉、Ge粒、Te粒为原料按照2:1:3化学计量比配称取并混匀得到混合物。将以上混合物利用高温真空熔融法在900‑1000℃反应12‑24小时；分别采用自然随炉冷却、淬火以及淬火后退火处理后获得块锭，对其进行洗涤，烘干处理，在玛瑙研钵中研磨成细粉。对得到的细粉进行放电等离子烧结，得到高性能Cu2GeTe3热电材料。其中采用熔融淬火并退火制备得高性能的Cu2GeTe3热电材料相对传统熔融自然随炉冷却制备得Cu2GeTe3热电材料性能提高了38%。该制备工艺简单，可控性高，成本低，稳定性好等优点，适用于高性能Cu2GeTe3热电材料的制备。
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