发明授权
- 专利标题: 一种含氘金属薄膜靶的制备方法
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申请号: CN201710017958.5申请日: 2017-01-11
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公开(公告)号: CN106544628B公开(公告)日: 2019-09-20
- 发明人: 王韬 , 龙继东 , 黄刚 , 杨振 , 蓝朝晖 , 向军 , 彭宇飞 , 刘平 , 刘尔祥 , 吕璐
- 申请人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 专利权人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市绵山路64号
- 代理机构: 成都行之专利代理事务所
- 代理商 王记明
- 主分类号: C23C14/22
- IPC分类号: C23C14/22 ; C23C14/06 ; C23C14/35 ; C23C14/02
摘要:
本发明公开了本发明一种含氘金属薄膜靶的制备方法,首先选用高纯钼或者高纯铜作为含氘金属薄膜靶的衬底材料并对衬底材料进行表面预处理;其次将衬底基片安装放入物理气相沉积PVD真空镀膜机内,并用氩离子轰击衬底表面,溅射掉衬底表面的氧化层;第三,设置衬底的镀膜温度,真空腔内通入高纯氘气,启动镀膜机,直接制备形成含氘金属薄膜,第四,关闭镀膜机,但继续向真空腔室内通入氘气,直至腔体内达到合适的气压才关闭氘气流量计。本发明提高了含氘金属薄膜靶的力学性能,有效控制了脆性、裂纹的发生,增加了靶膜的附着力;同时降低了表面死层厚度,提高靶膜纯度,提高了中子发生器的中子产额,延长了靶的使用寿命。
公开/授权文献
- CN106544628A 一种含氘金属薄膜靶的制备方法 公开/授权日:2017-03-29
IPC分类: