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公开(公告)号：CN118880269A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410922615.3
申请日：2024-07-10
申请人： 湖北绿新环保包装科技有限公司
IPC分类号： C23C14/56 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/22 , B01D46/10 , B01D46/42 , B01D53/26 , B01D49/00 , B01D53/04 , B01D46/54
摘要： 本发明涉及镀铝机技术领域，公开了一种真空镀铝机，包括壳体和滑槽，所述壳体内部的下方设置有滑槽，且滑槽中横向装配有底盘，所述底盘的内部固定有横杆，且横杆的外部两侧皆套接有支撑块，所述支撑块的底部设置有安装孔，所述支撑块的底部活动镶嵌有两组钢珠。该真空镀铝机通过在横杆的外部两侧皆套接有支撑块，从开槽的左侧沿着滑槽水平抽出底盘，沿着底盘内部的横杆水平拨动支撑块，根据铝丝的长短改变支撑块的卡接位置，支撑块的下方由钢珠减少与底盘之间的摩擦阻力，方便于安装孔中横向装配铝丝，而后转动滑盖，于开槽左侧装配开槽伸出部里的插板进行密封处理，方便加热器融化铝丝，解决了铝丝易晃动和镀膜效果易受静电影响的问题。
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公开(公告)号：CN118880243A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411003599.4
申请日：2024-07-25
申请人： 蚌埠市拓嘉五金制品有限公司
摘要： 本发明提供一种铜片镀膜机，包括定位撑杆、防护挡板、握持把手、节能直流荧光灯、储物腔、遮护套板、支撑站杆、调节转帽以及遮护连接板，真空镀膜机体前端面右侧开设有储物腔，储物腔内壁上侧安装有节能直流荧光灯，真空镀膜机体前端面右侧安装有防护挡板，防护挡板内部上侧设置有握持把手，该设计解决了原有真空镀膜机没有便于使用的收纳结构的问题，支撑站杆环形侧面下侧设置有调节转帽，遮护套板内部右侧插装有遮护连接板，该设计解决了原有真空镀膜机顶部不具备遮护结构的问题，与现有技术相比，本发明结构合理，具备便于使用的储物能力和顶部遮护结构，使用便捷性好。
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公开(公告)号：CN118792628A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410414981.8
申请日：2024-04-08
申请人： 三星显示有限公司
IPC分类号： C23C14/50 , H01L21/683 , C23C14/22 , C23C14/04
摘要： 提供静电吸盘、沉积设备和使用所述沉积设备制造的显示面板。根据一个方面，提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括：主体；和拉伸辅助装置，设置在所述主体的边界处，所述拉伸辅助装置包括设置在所述主体的一侧上的台阶部分，并且所述台阶部分的一端设置为高于所述主体的上表面。
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公开(公告)号：CN116380582B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202310336556.7
申请日：2023-03-31
申请人： 胜科纳米(苏州)股份有限公司
IPC分类号： G01N1/28 , C23C28/00 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C14/22 , C23C14/06 , C23C16/52 , C23C14/14 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01N23/20008 , G01N23/04
摘要： 本发明提供了一种超薄悬空膜透射电镜样品的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)使用铪源和氧源在悬空膜的表面交替进行多层原子层沉积，得到氧化铪层；(2)采用聚焦离子束在步骤(1)所述氧化铪层的表面依次沉积碳和金属薄膜，制得悬空膜透射电镜样品。所述制备方法通过在低温下依次交替沉积生长硬质HfO2保护层，可快速获得无变形的膜层；同时交替生长的HfO2可释放ALD生长过程中膜层本身的应力，在后续FIB制备过程中可以保持悬空膜结构的稳定且不损伤悬空膜，获得真实的悬空结构信息，保证后期TEM表征数据真实可靠。
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公开(公告)号：CN118639180A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410593122.X
申请日：2024-05-14
申请人： 中山安信电气有限公司
摘要： 本发明公开了一种镀膜循环冷却装置及其冷却方法，涉及到镀膜冷却装置领域，包括镀膜机和水箱，镀膜机固定设置在水箱的上端，镀膜机的四周侧壁内部开设有多个呈环形均匀分布的冷却腔，每个冷却腔的下侧均开设有与水箱连通的回流孔，水箱中设置有可对多个冷却腔供水的供水机构，水箱的一侧固定设置有制冷压缩机，制冷压缩机的制冷端延伸至水箱的内部，镀膜机的上端通过第一轴承转动设置有外齿圈，外齿圈的上端设置有一组可对镀膜机内部吹风的吹风机构，镀膜机的外侧设置有可带动外齿圈往复转动的驱动机构。本发明，通过循环水冷和风冷的方式对镀膜机进行循环冷却，提高冷却效果，使镀膜机能够持续工作，满足人们的使用需求。
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公开(公告)号：CN112041964B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN201980027056.7
申请日：2019-05-01
申请人： 等离子瑟姆NES有限公司
发明人： 萨尔帕加拉·H·海格德 , 文森特·李
IPC分类号： H01J37/305 , C23C14/22
摘要： 本公开提供一种在晶片蚀刻或沉积工艺期间校正不对称的方法，包括：‑从等离子体源105产生等离子体，所述等离子体源包括等离子体腔室110和离子提取栅格系统150，所述离子提取栅格系统被配置成从所述等离子体产生离子束，所述离子束具有中心轴；‑在载物台140上支撑晶片180；‑沿着扫描路径500‑510相对于所述离子束扫描所述晶片；以及‑根据所述晶片的位置修改所施加的射束通量。具体地，本公开提供一种在扫描离子束蚀刻工艺中调整扫描的不对称速率以校正所述晶片上的器件结构的内侧和外侧之间的蚀刻不对称同时保持跨全晶片的总体蚀刻均匀性的方法。
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公开(公告)号：CN118621289A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410887243.5
申请日：2024-07-03
申请人： 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
摘要： 本发明公开了真空镀膜机及调试方法，其中真空镀膜机包括：镀膜室、等离子体发生组件、至少两组光检测探头、光谱仪和控制器，镀膜室设有待镀膜位和沿第一方向的镀膜输送线，镀膜输送线经过待镀膜位，以输送基片经过待镀膜位，并镀膜至基片的表面；等离子体发生组件连通于镀膜室，设有沿第二方向朝向于待镀膜位的等离子体流道，等离子体流道于待镀膜位形成沿第三方向的镀膜区；沿第三方向间隔分布的至少两组光检测探头，光检测探头用于检测等离子体流道内的等离子体发出的混合辉光；光谱仪光连接于光检测探头，用于根据混合辉光获得光谱数据；控制器电连接于光谱仪，用于接收并处理光谱数据，并得到等离子体组成比例。
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公开(公告)号：CN118563270A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311773428.5
申请日：2023-12-20
申请人： 拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司
摘要： 本发明提供了薄膜沉积方法、薄膜沉积设备及存储介质。所述薄膜沉积方法包括以下步骤：经由PMC模块控制薄膜沉积设备的至少一个执行机构，执行薄膜沉积工艺的至少一个第一流程。所述第一流程具有较长的第一响应时间；响应于切换所述薄膜沉积工艺的第二流程的控制指令，控制PLC模块执行过渡步骤，从所述PMC模块当前的第一控制循环中获取其涉及的各所述执行机构的状态参数，并将其写入所述PLC模块的寄存器中。所述第二流程具有较短的第二响应时间；以及响应于所述PLC模块后续的第二控制循环的触发信号，经由所述PLC模块调用所述寄存器中存储的状态参数，以控制至少一个所述执行机构继续执行所述薄膜沉积工艺的至少一个第二流程。
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公开(公告)号：CN113862642B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202110947160.7
申请日：2017-04-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 埃里克·拉塞尔·马德森 , 兰斯·迪尔达尔
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/50 , C23C14/48 , C23C14/22 , H01L21/67
摘要： 本发明涉及挡板和喷头组件及相应的制造方法。挡板组件包括挡板、环和支撑构件。挡板具有外径并且配置成将气体分配通过衬底处理系统的喷头组件的喷头。气体从喷头组件的杆接收。该环具有内径并且被配置为设置在喷头组件的环形通道中。所述内径大于挡板的外径。支撑构件从挡板延伸到环。环和支撑构件将挡板保持在喷头的顶板和底板之间的位置。
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公开(公告)号：CN118547266A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410606200.5
申请日：2024-05-16
申请人： 南京大学
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/44 , C23C14/22 , C23C14/02 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C16/56
摘要： 本发明公开一种可精准定位生长堆叠硅锗岛链纳米线的方法，包括获得金属催化液滴移动的引导沟槽；沉积至少一组a‑Ge前驱体和SiO2或者SiNx的叠层；垂直引导沟槽刻蚀所述叠层形成斜切面叠层结构；在引导沟槽的一端制备条状催化金属；利用还原性气体等离子体处理催化金属层，使其转变成为分离的金属纳米颗粒；在整个样品表面覆盖一层与所需生长Si纳米线匹配的a‑Si前驱体；在真空或气体氛围中进行退火处理，使催化金属纳米颗粒吸收a‑Si前驱体并沿着所述引导沟槽向a‑Si‑a‑Ge叠层的斜切面移动，并在催化金属颗粒后端形成晶态Si纳米线‑晶态SiGe岛‑晶态Si纳米线的三维结构。
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