发明公开
- 专利标题: 基于传感方向的磁阻静态特性优化方法
- 专利标题(英): Method for optimizing reluctance static characteristic based on sensing direction
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申请号: CN201611025512.9申请日: 2016-11-18
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公开(公告)号: CN106556808A公开(公告)日: 2017-04-05
- 发明人: 欧阳勇 , 胡军 , 何金良 , 王善祥 , 赵根 , 王中旭 , 曾嵘 , 庄池杰 , 张波 , 余占清
- 申请人: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园;
- 专利权人: 清华大学,清华四川能源互联网研究院
- 当前专利权人: 清华大学,清华四川能源互联网研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园;
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 詹永斌
- 主分类号: G01R33/09
- IPC分类号: G01R33/09
摘要:
本发明涉及静态特征优化技术领域,公开了一种基于传感方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤:步骤1、将易轴偏置场、难轴偏置场设置为恒定值,设置传感方向的取值获取传感曲线;步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM,将传感曲线经过目标函数优化,获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err;步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM,重复步骤2;步骤4、选取不同的传感方向的取值,重复步骤1‑3,获取在同一个二维坐标的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线;步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场、难轴偏置场下使得绝对误差最小的传感方向相应值。通过调节传感方向,获取更大的线性区域。
公开/授权文献
- CN106556808B 基于传感方向的磁阻静态特性优化方法 公开/授权日:2019-08-02