- 专利标题: 基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法
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申请号: CN201611025137.8申请日: 2016-11-18
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公开(公告)号: CN106556810B公开(公告)日: 2019-08-02
- 发明人: 何金良 , 欧阳勇 , 胡军 , 王善祥 , 赵根 , 王中旭 , 曾嵘 , 庄池杰 , 张波 , 余占清
- 申请人: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
- 申请人地址: 北京市海淀区清华园
- 专利权人: 清华大学,清华四川能源互联网研究院
- 当前专利权人: 清华大学,清华四川能源互联网研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区清华园
- 代理机构: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司
- 代理商 詹永斌
- 主分类号: G01R33/12
- IPC分类号: G01R33/12
摘要:
本发明涉及静态特征优化技术领域,公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤:步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值,设置难轴偏置场的取值获取传感曲线;步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM,将传感曲线经过目标函数优化,获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err;步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM,重复步骤2;步骤4、选取不同的难轴偏置场的取值,重复步骤1‑3,获取在同一个二维坐标A的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线;步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。通过调节难轴偏置场,获得更大的线性区域。
公开/授权文献
- CN106556810A 基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法 公开/授权日:2017-04-05