- 专利标题: 离子辐照试样辐照损伤区域的电阻率和电导率的测试方法
- 专利标题(英): Method of testing resistivity and conductivity of ion irradiation sample irradiation damage area
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申请号: CN201610998805.9申请日: 2016-11-14
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公开(公告)号: CN106569036A公开(公告)日: 2017-04-19
- 发明人: 束国刚 , 李承亮 , 徐贲 , 陈骏 , 冯楠 , 刘飞华 , 刘伟 , 段远刚
- 申请人: 中广核工程有限公司 , 清华大学 , 中国广核集团有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市大鹏新区鹏飞路大亚湾核电基地工程公司办公大楼; ;
- 专利权人: 中广核工程有限公司,清华大学,中国广核集团有限公司
- 当前专利权人: 中广核工程有限公司,清华大学,中国广核集团有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市大鹏新区鹏飞路大亚湾核电基地工程公司办公大楼; ;
- 代理机构: 广州三环专利代理有限公司
- 代理商 王基才
- 主分类号: G01R27/02
- IPC分类号: G01R27/02
摘要:
本发明公开了一种离子辐照试样辐照损伤区域的电阻率的测试方法,其包括以下步骤:1)提供包括辐照损伤层和离子辐照未损伤的基体层的离子辐照试样,测量离子辐照试样的总的电阻R0和离子辐照未损伤的基体层的厚度H2;2)对离子辐照试样减薄,测量减薄后离子辐照试样的电阻R和减薄层的厚度H;以及3)根据以下数学计算公式计算离子辐照试样辐照损伤区域的电阻率。此外,本发明还公开了一种离子辐照试样辐照损伤区域的电导率的测试方法。本发明离子辐照试样辐照损伤区域的电阻率和电导率的测试方法通过试验和计算推导相结合的方法获得离子辐照试样表层离子辐照损伤区域的电阻率和电导率,计算结果精确,测试方法简单易行,成本低廉。
公开/授权文献
- CN106569036B 离子辐照试样辐照损伤区域的电阻率和电导率的测试方法 公开/授权日:2018-12-04