发明授权
- 专利标题： 非易失性半导体存储器件
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申请号： CN201580043126.X申请日： 2015-08-07
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公开(公告)号： CN106575518B公开(公告)日： 2019-04-19
- 发明人: 泷泽亮介
- 申请人： 东芝存储器株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人： 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理商 李峥; 刘薇
- 优先权： 62/036,761 2014.08.13 US
- 国际申请： PCT/JP2015/072941 2015.08.07
- 国际公布： WO2016/024632 EN 2016.02.18
- 进入国家日期： 2017-02-10
- 主分类号： G11C11/15
- IPC分类号： G11C11/15
摘要：
根据一个实施例，非易失性半导体存储器件包括：存储器垫，其包括具有可变电阻元件的存储单元；写入驱动器，其在写入中沿着第一方向和与所述第一方向相反的第二方向中的一者将写入电流施加到所述存储单元；以及读取驱动器，其在写入之后的验证读取中沿着所述第一方向和所述第二方向中的一者将验证读取电流施加到所述存储单元。
公开/授权文献
- CN106575518A 非易失性半导体存储器件 公开/授权日：2017-04-19
