非易失性半导体存储器件

    公开(公告)号:CN106575518B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201580043126.X

    申请日:2015-08-07

    发明人: 泷泽亮介

    IPC分类号: G11C11/15

    摘要: 根据一个实施例,非易失性半导体存储器件包括:存储器垫,其包括具有可变电阻元件的存储单元;写入驱动器,其在写入中沿着第一方向和与所述第一方向相反的第二方向中的一者将写入电流施加到所述存储单元;以及读取驱动器,其在写入之后的验证读取中沿着所述第一方向和所述第二方向中的一者将验证读取电流施加到所述存储单元。