一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法

发明授权

CN106611707B 一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法失效 - 权利终止

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专利标题： 一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法
申请号： CN201710016991.6

申请日： 2017-01-11
公开(公告)号： CN106611707B

公开(公告)日： 2019-08-09
发明人: 俞金玲 , 曾晓琳 , 程树英 , 陈涌海 , 赖云锋 , 郑巧
申请人： 福州大学
申请人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
专利权人： 福州大学
当前专利权人： 福州大学
当前专利权人地址： 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
代理机构： 福州元创专利商标代理有限公司
代理商 蔡学俊
主分类号： H01L21/335
IPC分类号： H01L21/335 ; H01L29/06 ; H01L21/66 ; B82Y30/00

摘要：

本发明涉及一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法，过改变入射激光波长有效调控GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势。本发明的方法调控效果显著，实施简便。

摘要（英）：

The invention relates to a method for changing a change trend of a linearly polarized light induced current with a temperature in GaAs/AiGaAs two-dimensional electron gas. By changing a wavelength of an incident laser, the change trend of the linearly polarized light induced current with the temperature in the GaAs/AiGaAs two-dimensional electron gas is controlled effectively. According to the method related by the invention, the control effect is remarkable, and the implementation is simple and convenient.

公开/授权文献

CN106611707A 一种改变GaAs/AlGaAs二维电子气中线偏振光致电流随温度变化趋势的方法公开/授权日：2017-05-03

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管