-
公开(公告)号：CN117849679A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410019277.2
申请日：2024-01-05
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及一种区分Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结铁磁性主导贡献的光电流方法，该方法通过测试具有设定厚度Fe4GeTe2的Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结的圆偏振光电流、普通光电导电流和磁场相关的反常霍尔电阻，可简单区分影响异质结铁磁性的主导机制。具体来说，通过测量不同温度条件下的Fe4GeTe2/Bi2Te3异质结的圆偏振光致电流、普通光电导电流，提取出和自旋轨道耦合强度成正比的有效电场αe，再与不同温度条件下反常霍尔电阻随磁场的变化曲线进行对比，若和αe的趋势一致，证明磁各向异性是影响该材料铁磁性的主导机制之一，若不一致，则证明影响铁磁性的主导机制是界面交换相互作用。本发明方法简单，易于实现，不会损伤材料，适用于具有强自旋轨道耦合的铁磁材料。
-
公开(公告)号：CN108920845B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810734873.3
申请日：2018-07-06
申请人： 福州大学
IPC分类号： G06F30/367 , H01L29/775
摘要： 本发明涉及一种实现氧化锌线状晶体管电导可调的方法，其特征在于：所述氧化锌线状晶体管包括重掺硅/二氧化硅衬底、氧化锌线状介质以及一对钛电极；所述氧化锌线状晶体管电导可调的方法包括以下步骤：设氧化锌线状晶体管的阈值电压为VG1，某一栅极电压下的电导状态为C1；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~V2范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VG2，可以获得该栅压下的第2电导状态C2；对氧化锌线状晶体管的栅极施加‑V1~Vi范围的扫描电压，使氧化锌线状晶体管的阈值电压变为VGi，可以获得该栅压下的第i电导状态Ci。通过本发明可以对具有良好的电导调节特性氧化锌线状晶体管，获得在同一栅极电压下不同的电导状态。
-
公开(公告)号：CN111289832B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010227900.5
申请日：2020-03-27
申请人： 福州大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。
-
公开(公告)号：CN110164999B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910486444.3
申请日：2019-06-05
申请人： 福州大学
IPC分类号： H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种调控硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的方法，具体通过改变激发光的波长从近红外到远红外波段，实现对硒化铋薄膜中圆偏振光致电流的调控。这是因为在硒化铋薄膜，同时存在表面态和二维电子气，它们产生的圆偏振光电流的方向是相反的。当激发光为近红外波段的光时，表面态和二维电子气都会对圆偏振光致电流产生贡献，而且它们的方向相反，会互相抵消。当激发光为远红外波段的光，且该激发光的能量小于薄膜中Rashba自旋分裂能时，这时的圆偏振光致电流主要来自表面态，二维电子气态的贡献很小。从而，相比于近红外光激发的情况，此时的圆偏振光致电流有显著提升。本发明调控效果显著，简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
-
公开(公告)号：CN111289832A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010227900.5
申请日：2020-03-27
申请人： 福州大学
IPC分类号： G01R31/00
摘要： 本发明提出一种测算及改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3圆偏振光致电流随温度变化趋势的方法，包括如下步骤：步骤S1：制备不同厚度的三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜；步骤S2：在三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜表面沉积一对圆形电极，获得测试样品；步骤S3：采用变温圆偏振光致电流测量系统，对不同厚度的测试样品进行变温圆偏振光致电流的测量，获得三维拓扑绝缘体Bi2Te3薄膜在不同温度下的圆偏振光致电流。其提出的测算实验装置结构设计简单，易于操作，利于推广应用，试验结果准确，基于实证提出的方法能够简便快捷且有效地改变三维拓扑绝缘体Bi2Te3的圆偏振光致电流随温度变化趋势。
-
-
公开(公告)号：CN109884001A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910195613.8
申请日：2019-03-14
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及一种区分拓扑绝缘体Sb2Te3的圆偏振光致电流和光子拽曳电流的方法。该方法的技术方案为，用1064nm的激光通过起偏器和四分之一波片后照射在样品上，通过转动四分之一波片产生周期变化的偏振光，产生的光电流通过拟合提取出圆偏振激光产生的光电流。测量不同正负入射角下的圆偏振激光产生的光电流，利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的偶函数分量具有不用的奇偶对称性，以及利用圆偏振光致电流和光子拽曳电流的奇函数分量对入射角的不同依赖关系，将圆偏振光致电流和光子拽曳电流进行区分。本发明测量结果准确，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用。
-
公开(公告)号：CN107819067A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710888588.2
申请日：2017-09-27
申请人： 福州大学
摘要： 本发明涉及一种区分Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的方法。该方法在钛酸锶衬底的（111）晶面上生长拓扑绝缘体Bi2Se3；而后用高斯分布的圆偏振激光在垂直入射的情况下激发拓扑绝缘体Bi2Se3的体态和表面态的光致逆自旋霍尔效应电流，测得当光斑位置在两电极连线的垂直平分线上移动时的光致逆自旋霍尔效应电流；最后，通过建立区分拓扑绝缘体Bi2Se3表面态与体态光致逆自旋霍尔电流的定量拟合模型，并进行模型拟合，得到体态和表面态的光致逆自旋霍尔电流。本发明方法，十分简单易行，成本低廉，有利于日后推广应用；且所得结果准确。
-
公开(公告)号：CN106024963B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610571961.7
申请日：2016-07-20
申请人： 福州大学
IPC分类号： H01L31/072 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种提高铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池效率的方法，用溶胶‑凝胶法制备铜锌锡硫薄膜，随后对负载有铜锌锡硫薄膜的钼基片进行加热处理，待基片升高到150℃时，采用真空热蒸发法在铜锌锡硫薄膜上面生长硫化铟薄膜，得到铜锌锡硫/硫化铟异质结，大大提高了铜锌锡硫/硫化铟太阳能电池的效率。此外，本发明可操作性强，容易实现，能用于薄膜太阳能电池的制备，对太阳能电池效率的提高有着重要贡献。
-
公开(公告)号：CN106783966A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710017041.5
申请日：2017-01-11
申请人： 福州大学
CPC分类号： H01L29/66984 , H01L43/12
摘要： 本发明涉及一种调控GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合的方法。该方法通过改变样品温度有效调控了GaAs/AlGaAs二维电子气中Dresselhaus自旋轨道耦合，具体：首先，用分子束外延设备生长GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品，并沉积铟电极；其次，调整光路，使1064nm波长的激光入射到GaAs/AlGaAs半导体二维电子气样品上，使激光光斑位于所述样品两个电极中间，并使激光入射角为30°；最后，将所述样品置于杜瓦瓶中，使样品温度由77K至室温300K变化，测量样品随温度变化的Dresselhaus自旋轨道耦合引起的圆偏振光致电流。本发明方法可行性高，调控效果显著，且实施简便。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
114 条记录 (耗时 0.029 秒)
