发明公开
- 专利标题: 半导体器件及其制造方法
- 专利标题(英): Semiconductor device and manufacturing method therefor
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申请号: CN201610087701.2申请日: 2016-02-16
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公开(公告)号: CN106611791A公开(公告)日: 2017-05-03
- 发明人: 金东权 , 徐康一
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 屈玉华
- 优先权: 14/923,982 20151027 US
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L21/336
摘要:
本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一纳米线设置在基板上。第一纳米线在第一方向上延伸并且与基板间隔开。栅电极围绕第一纳米线的外围。栅电极在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅间隔物形成在栅电极的侧壁上。栅间隔物包括彼此面对的内侧壁和外侧壁。栅间隔物的内侧壁面对栅电极的侧壁。第一纳米线的端部分从栅间隔物的外侧壁突出。源极/漏极设置在栅电极的至少一侧。源极/漏极连接到第一纳米线的突出的端部分。
公开/授权文献
- CN106611791B 半导体器件及其制造方法 公开/授权日:2021-11-09
IPC分类: