制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺
摘要:
本发明涉及一种制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺,属于电子元器件制备领域。其特征在于包括以下几个步骤:在氮化硅粉中按比例加入烧结助剂,搅拌均匀得到粉体;在得到的粉体中按比例加入有机溶剂后,经研磨混料,制成混合均匀的浆料;所述浆料pH值为9‑10,在行星球磨机中,混磨22h后出料,将其在‑0.09Pa条件下真空搅拌除气约1h,得到固体积含量56%‑58%、流速小于30s、8h内不发生沉降的水基陶瓷料浆;将所述水基陶瓷料浆通过喷凝制成陶瓷坯带,并烘干成固体坯带,将坯带裁制成坯片;将坯片送入烧结炉内烧结、冷却后得到氮化硅陶瓷基板生坯;将所得氮化硅陶瓷基板生坯置于球磨机中进行0.5微米的氮化硅干粉研磨和抛光。
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