- 专利标题: 一种适于研究ZnMgO/ZnO异质结中合金群散射的Monte Carlo模拟方法
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申请号: CN201611141508.9申请日: 2016-12-12
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公开(公告)号: CN106682400B公开(公告)日: 2019-03-12
- 发明人: 王平 , 陈鸿燕 , 程静思 , 李招灵 , 郭立新 , 杨银堂 , 张志勇
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陆万寿
- 主分类号: G16C10/00
- IPC分类号: G16C10/00
摘要:
本发明公开了一种适于研究ZnMgO/ZnO异质结中合金群散射的MonteCarlo模拟方法,包括:1)计算得ZnO和Zn1‑xMgxO的能带结构,采用五能谷解析带近似;2)拟合得ZnO和Zn1‑xMgxO最低五个能谷的有效质量;3)得到ZnMgO/ZnO异质结的电子波函数、量子化能级和电子面密度;4)建立模拟ZnMgO/ZnO异质结输运特性的MC模型;5)计算各种散射机制的散射率;6)初始化各粒子的波矢;7)设置粒子编号n和电场强度F;8)n加1;9)判断粒子编号与模拟粒子总数的关系;10)判断模拟时间是否为总仿真时间;11)计算电子的稳态漂移速度和电子迁移率;12)绘制合金群散射对电子输运特性影响的关系图。得到的电子输运特性更加精确,为在ZnMgO/ZnO异质结中降低合金群散射的影响和提高电子迁移率特性提供了参考。
公开/授权文献
- CN106682400A 一种适于研究ZnMgO/ZnO异质结中合金群散射的Monte Carlo模拟方法 公开/授权日:2017-05-17