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发明公开
CN106698518A 水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
  • 专利标题（英）： Hydrothermal method for preparing thiol-modified layered molybdenum disulfide
  • 申请号： CN201710035410.3
    申请日： 2017-01-18
  • 公开(公告)号： CN106698518A
    公开(公告)日： 2017-05-24
  • 发明人: 吕弋 , 徐博彬 , 宋红杰
  • 申请人： 四川大学
  • 申请人地址： 四川省成都市一环路南一段24号
  • 专利权人： 四川大学
  • 当前专利权人： 四川大学
  • 当前专利权人地址： 四川省成都市一环路南一段24号
  • 主分类号： C01G39/06
  • IPC分类号： C01G39/06 ;  B82Y40/00
水热法制备硫醇修饰的片层二硫化钼的方法
摘要：
本发明提供一种硫醇修饰的MoS2纳米片层材料的制备方法，具体实施方案如下：（1）水溶性钼源前驱体的制备。将一定量的MoO2(ACAC)2溶解在SHCH2COOH水溶液中，并加热至100℃恒温1小时，逐滴加入NaOH溶液调节pH至11.0；（2）表面修饰片层二硫化钼材料的制备。将一定量的Na2S与上述溶液混合，转移至高温反应釜中反应；（3）纯化。将反应得到的溶液透析一段时间后，得到硫醇修饰的二硫化钼片层纳米片层材料。本发明为片层MoS2材料的表面修饰提供了一种简易可行、操作便捷的方法。
摘要（英）：

The invention provides a method for preparing a thiol-modified MoS2 layered nanometer material. The specific implementation scheme comprises the following steps: (1) preparing a water-soluble molybdenum source precursor, namely dissolving a certain amount of MoO2(ACAC)2 in aqueous solution of SHCH2COOH, heating to a constant temperature of 100 DEG C for an hour, and dropwise adding NaOH solution to regulate the pH value to 11.0; (2) preparing a surface modified layered MoS2 material, namely mixing a certain amount of Na2S and the previous solution, and transferring into a high temperature reactor for reacting; and (3) purifying, namely dialyzing the solution obtained by the reaction for a period of time, thereby obtaining the thiol-modified MoS2 layered nanometer material. The invention provides a simple, feasible and conveniently operated method for surface modification of layered MoS2 materials.

公开/授权文献
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