发明授权
CN106699173B 一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法
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申请号: CN201710039867.1申请日: 2017-01-19
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公开(公告)号: CN106699173B公开(公告)日: 2019-07-23
- 发明人: 叶作光 , 高攀 , 庄建 , 张楠 , 任巍
- 申请人: 西安交通大学
- 申请人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人: 西安交通大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 陆万寿
- 主分类号: C04B35/48
- IPC分类号: C04B35/48 ; C04B35/622 ; C04B41/88 ; H01G4/12
摘要:
本发明涉及一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法,其组分以通式(1‑x)PbHfO3‑xPbMg0.5W0.5O3表示,其中x表示PbMg0.5W0.5O3的摩尔百分数,并且满足:x=0.01~0.25。本发明采用两步固相烧结法制备陶瓷材料,通过对组分进行调控,使反铁电陶瓷的临界电场显著降低,耐压强度提高,可实现室温环境下高储能的应用。本发明所制备的高储能密度陶瓷电容器介质材料,其烧结温度低,耐压强度高达130kV/cm,储能密度高达1.39J/cm3,可用于制备高储能密度多层陶瓷电容器,具有良好的应用前景。同时本发明制备工艺简单、性能稳定,适合工业推广。
公开/授权文献
- CN106699173A 一种反铁电高储能陶瓷材料及其制备方法 公开/授权日:2017-05-24
IPC分类: