发明授权
CN1067174C 用于半导体存贮器件的传感放大器
失效 - 权利终止
- 专利标题： 用于半导体存贮器件的传感放大器
- 专利标题（英）： Sense amplifier for semiconductor memory device
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申请号： CN96106631.8申请日： 1996-05-20
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公开(公告)号： CN1067174C公开(公告)日： 2001-06-13
- 发明人: 郑泰圣 , 朴晸壎
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 王岳; 张志醒
- 优先权： 12691/1995 1995.05.20 KR
- 主分类号： G11C7/06
- IPC分类号： G11C7/06 ; H03F21/00
摘要：
一种用于非易失性半导体存贮器中的具有宽输入范围的传感放大器。具有多个响应于多种输入电位的多个输出端的传感放大器包括一个充电装置，用于根据输入电位对输出端充电；第一导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；第二导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；以及联在输出端与地电位之间，且根据第一导通器而导通的联接电路。
公开/授权文献
- CN1147166A 用于半导体存贮器件的传感放大器 公开/授权日：1997-04-09
