公开(公告)号：CN118571275A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202311749922.8

申请日：2023-12-18

申请人： 美光科技公司

发明人： W·张 ,  藤澤宏樹 ,  宫武伸一 ,  何源

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08

摘要： 本公开涉及感测放大器电路系统及阈值电压补偿。用于存储器装置的感测放大器可包含阈值电压补偿电路系统，其经配置以补偿所述感测放大器的一部分的阈值电压偏移。另外，所述感测放大器还执行所述感测放大器的所述部分的预感测。此外，所述感测放大器经配置以在预感测所述感测放大器的所述部分之后的阶段中执行主感测及锁存。

公开(公告)号：CN113808635B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202110903593.2

申请日：2021-08-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 桑吉夫·库马尔·甄恩

IPC分类号： G11C8/06 ,  G11C8/08 ,  G11C7/06 ,  G11C11/413

摘要： 提供了用于存储器器件的系统和方法。存存储器器件包括：存储器阵列；列选择电路，耦接至存储器阵列，其中列选择电路被配置为生成列选择信号；以及感测放大器，被配置为从存储器阵列接收数据信号。使能信号生成电路被配置为生成第一使能信号和第二使能信号。列选择电路基于第一使能信号生成列选择信号，并且感测放大器被配置为响应于第二使能信号而从存储器阵列接收数据信号。本发明的实施例还提供了使能信号发生器、存储器器件及其操作方法。

公开(公告)号：CN118351897A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202310025394.5

申请日：2023-01-09

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 罗怡菲 ,  李露

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C5/14

摘要： 本申请实施例公开了一种存储器、噪声减小方法和电子设备，存储器包括：多个存储阵列、位于相邻存储阵列之间的多个灵敏放大器以及用于控制灵敏放大电路时序的信号线；灵敏放大器的第一节点与位线连接，灵敏放大器的第二节点与参考位线连接；其中，位线和参考位线来自不同的存储阵列片；信号线包括位于灵敏放大电路相对两侧且位于灵敏放大电路和存储阵列之间的第一信号线和第二信号线，位线与第一信号线之间设置有第一隔离结构，参考位线与第二信号线之间设置有第二隔离结构。

公开(公告)号：CN113643736B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202110841240.4

申请日：2021-07-23

申请人： 上海亘存科技有限责任公司

发明人： 维吉尔·贾瓦利亚克

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/06 ,  G06F13/16

摘要： 本发明公开了一种磁性随机存储器及其读操作方法，采用差分的方式，组合了速度和功耗方面的优势，并且实现了高密度，即一个位单元仅包括一个磁性随机存储器单元，同时提供大规模内存单元的能力，缘于高读操作容限和高物理密度。本发明的主要目的是提供能够高速读和/或低读功耗(超过2倍于业界最高平均水平)的大规模高密度的磁性随机存储器。本发明所述技术方案可用于快速，低功耗执行的嵌入式类闪存式磁性随机存储器，具有快速非易失性的最外级高速缓存等。

公开(公告)号：CN118212946A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202211583026.4

申请日：2022-12-09

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 韦冰心

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/22 ,  G11C7/06

摘要： 本公开实施例提供了一种数据接收电路和存储器，该电路包括：电压模块，配置为在双参考电压模式下，产生第一参考信号和第二参考信号；第一比较模块，配置为接收数据信号和第一参考信号，对数据信号和第一参考信号进行电压比较，输出第一结果信号；数据信号是串行排列的若干个数据信号的其中一个；第二比较模块，配置为接收数据信号和第二参考信号，对数据信号和第二参考信号进行电压比较，输出第二结果信号；判决模块，配置为接收第一结果信号和第二结果信号，基于数据信号的前N位数据信号的电平状态，将第一结果信号和第二结果信号的二者之一确定为目标信号。不仅能够保证数据接收的正确性，而且缩短了信号反馈时间。

公开(公告)号：CN117789779B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311832360.3

申请日：2023-12-28

申请人： 安徽大学

发明人： 关立军 ,  于天褀 ,  卢文娟 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  吴秀龙

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C11/419

摘要： 本发明涉及灵敏放大器设计技术领域，更具体的，涉及基于锁存交叉耦合的自控制型SRAM灵敏放大器电路、模块。本发明包括：使能控制部、锁存耦合部、自控制输入部、预充电路部。本发明采用自控制输入部，根据Q、QB的电压变化，自适应控制目标位线的信号输入与非目标位线的信号关断，避免非目标位线对输出节点Q、QB产生影响，从而降低失调电压和放大延时。本发明采用锁存耦合部放大电压信号，避免了反相器级联的控制方式，从而规避了现有专利的振荡风险。本发明解决了现有锁存器型灵敏放大器存在偏大的失调电压、以及现有专利存在振荡风险的问题。

公开(公告)号：CN111199756B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201911125592.9

申请日：2019-11-15

申请人： ARM 有限公司

发明人： 埃尔麦迪·布雅马 ,  西里尔·尼古拉·德雷

IPC分类号： G11C7/06 ,  G11C7/08 ,  G11C11/16

摘要： 在特定实现方式中，包括第一偏置电路和第二偏置电路以及内部放大器的装置提供了检测放大器偏移消除。内部放大器包括：第一和第二电流发生器，被配置成复制来自第一和第二偏置电路的相应的第一和第二电流；第一和第二晶体管，被配置成将第一和第二电流转换为电压采样；以及第一和第二电容器，被配置成存储电压采样。在采样阶段，可以在内部放大器中对第一和第二电流进行采样，此外，在放大阶段，还可以在内部放大器中对所存储的电压采样进行放大。

公开(公告)号：CN118057530A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202211463550.8

申请日：2022-11-21

申请人： 浙江驰拓科技有限公司

发明人： 郝午阳 ,  熊保玉 ,  余赣湘

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C7/06 ,  G11C7/10 ,  G11C5/14

摘要： 本发明提供一种存储器的读电路，包括：灵敏放大器、与灵敏放大器连接的读阵列和参考电路，读阵列包括位于一列上的多个存储单元；参考电路包括参考电阻和参考阵列，参考阵列用于匹配读阵列在读操作时由未开启的存储单元产生的漏电流。

公开(公告)号：CN113380292B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110590960.8

申请日：2021-05-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曹斯钧 ,  洪照俊

IPC分类号： G11C11/40 ,  G11C8/14 ,  G11C7/18 ,  G11C7/06 ,  G11C5/14

摘要： 本文公开了涉及一种包括存储器单元的存储器系统和用于操作该存储器单元的方法和电路。在一个方面，该电路包括晶体管对，以将以下之中所选择的一个电耦合至位线：i)电压源，以向存储器单元提供参考电压，或者ii)传感器，以感测流经存储器的电流单元。在一个方面，电路包括第一晶体管。第一晶体管和位线可以串联电耦合在晶体管对和存储器单元之间。

公开(公告)号：CN118016122A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202211399089.4

申请日：2022-11-09

申请人： 长江存储科技有限责任公司

发明人： 李小翠 ,  杜智超 ,  王瑜

IPC分类号： G11C11/4091 ,  G11C7/18 ,  G11C7/06

摘要： 本申请提供了一种存储器及其数据读取方法、存储系统，属于存储技术领域。本申请提供的存储器中的感测放大电路包括写入控制电路、感测电路和传输电路，且该写入控制电路和传输电路分别由写入控制线和读取控制线控制。由此，在预充电阶段能够通过写入控制线和读取控制线断开本地数据线与接地端之间的连接，以避免感测放大电路产生漏电流。并且，在数据读取阶段，能够通过写入控制电路断开本地数据线与数据线之间的连接，以避免该数据线的电平影响本地数据线的电平，进而可以确保数据读取的可靠性。