发明公开
- 专利标题: 压力传感器及其制备方法
- 专利标题(英): Pressure sensor and production method thereof
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申请号: CN201611237468.8申请日: 2016-12-28
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公开(公告)号: CN106768520A公开(公告)日: 2017-05-31
- 发明人: 胡友根 , 赵涛 , 朱朋莉 , 张愿 , 朱玉 , 梁先文 , 孙蓉
- 申请人: 中国科学院深圳先进技术研究院
- 申请人地址: 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号
- 专利权人: 中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人: 中国科学院深圳先进技术研究院
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城学苑大道1068号
- 代理机构: 广东广和律师事务所
- 代理商 章小燕
- 主分类号: G01L1/22
- IPC分类号: G01L1/22
摘要:
本发明公开了一种压力传感器及其制备方法,所述压力传感器包括两个外接电极和两个相对设置的具有弹性的衬底,至少一个衬底的接触面上有凸起结构,接触面为两个衬底相对的一面,衬底为导电体,每个衬底连接一个外接电极,凸起结构的表面覆盖有导电层。从而,既利用了弹性导电衬底本身在压力作用下产生形变而导致电阻发生变化的压阻效应,又利用了衬底在压力作用下其凸起结构表面的导电层接触面积改变而导致接触电阻发生变化的效应,通过二者的协同作用极大的扩大了压力检测范围,并且相对现有技术中在两个衬底之间夹设电路层的方式,本发明实施例中的导电层在凸起结构形变时其接触面积变化更大,因此进一步提高了压力传感器的灵敏度和可靠性。
公开/授权文献
- CN106768520B 压力传感器及其制备方法 公开/授权日:2022-08-12