- 专利标题: 一种薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料及其制法和用途
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申请号: CN201710144695.4申请日: 2017-03-13
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公开(公告)号: CN106783219B公开(公告)日: 2018-04-24
- 发明人: 田正芳 , 解明江 , 张万举 , 王永正 , 沈宇 , 郭学锋
- 申请人: 黄冈师范学院
- 申请人地址: 湖北省黄冈市开发区新港2路146号
- 专利权人: 黄冈师范学院
- 当前专利权人: 黄冈师范学院
- 当前专利权人地址: 湖北省黄冈市开发区新港2路146号
- 代理机构: 南京知识律师事务所
- 代理商 黄嘉栋
- 主分类号: H01G11/36
- IPC分类号: H01G11/36 ; H01G11/30 ; H01G11/86
摘要:
一种薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料的制备方法,它是将浓度为10‑20g/L的氢氧化钙浆料和浓度为0.2‑0.5mol/L的镍离子溶液混合搅拌先部分发生离子交换反应,将搅拌后的混合体系进行过滤,洗涤,烘干并于氢气气氛下还原得到镍/氧化钙的复合物,然后将1‑10g得到镍/氧化钙复合物再次与50ml镍离子溶液混合发生离子交换反应,将搅拌后的混合体系进行过滤,洗涤,烘干即得到镍掺杂的氢氧化镍电极材料。该方法得到镍掺杂的氢氧化镍材料作为电极材料应用于超级电容器储能具有优越的电容性能。
公开/授权文献
- CN106783219A 一种薄片状镍掺杂氢氧化镍电极材料及其制法和在制备超级电容器中的应用 公开/授权日:2017-05-31