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发明公开
CN106784117A 一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法
  • 专利标题（英）： Method for preparing short wave/medium wave/long wave triple-band infrared detector
  • 申请号： CN201611252476.X
    申请日： 2016-12-30
  • 公开(公告)号： CN106784117A
    公开(公告)日： 2017-05-31
  • 发明人: 郝瑞亭 , 任洋 , 郭杰 , 刘思佳 , 赵其琛 , 王书荣 , 常发冉 , 刘欣星
  • 申请人： 云南师范大学
  • 申请人地址： 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学太阳能研究所
  • 专利权人： 云南师范大学
  • 当前专利权人： 云南师范大学
  • 当前专利权人地址： 云南省昆明市呈贡区聚贤街768号云南师范大学太阳能研究所
  • 主分类号： H01L31/101
  • IPC分类号： H01L31/101 ;  H01L31/11
一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法
摘要：
本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型GaSb接触层（缓冲层）、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层（盖层）。该探测器具有P‑π‑M‑N型InAs/GaSb超晶格、PIN型InAs/InAsSb超晶格和NBN型InAsSb异质结构，具有高探测率、低暗电流、低串扰等优点，可提高红外探测器性能。
摘要（英）：

The invention discloses a short wave/medium wave/long wave triple-band infrared detector, which structurally comprises a GaSb substrate, an epitaxial structure deposited on the GaSb structure, a passivation layer and metal electrodes, wherein the epitaxial structure sequentially comprises a Te-doped GaSb buffer layer, an n-type InAs/GaSb superlattice contact layer, an M-type InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs superlattice hole blocking layer, a p-type InAs/GaSb superlattice long-wave infrared absorption layer, a p-type InAs/GaSb superlattice contact layer, a p-type GaSb contact layer (buffer layer), a p-type InAs/InAsSb superlattice contact layer, an un-doped InAs/InAsSb superlattice medium-wave infrared absorption layer, an n-type InAs/InAsSb superlattice contact layer, a first n-type InAsSb contact layer, an AlAsSb electronic barrier layer, an un-doped InAsSb short-wave infrared absorption layer and a second n-type InAsSb contact layer (cover layer) from bottom to top. The detector has a P-pi-M-N-type InAs/GaSb superlattice, a PIN-type InAs/InAsSb superlattice and an NBN-type InAsSb heterostructure, and has the advantages of high detection rate, low dark current, low crosstalk and the like, and the performance of the infrared detector can be improved.

公开/授权文献
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