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公开(公告)号：CN106784117A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611252476.X
申请日：2016-12-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/11
CPC分类号： H01L31/1013 , H01L31/11
摘要： 本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型GaSb接触层（缓冲层）、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层（盖层）。该探测器具有P‑π‑M‑N型InAs/GaSb超晶格、PIN型InAs/InAsSb超晶格和NBN型InAsSb异质结构，具有高探测率、低暗电流、低串扰等优点，可提高红外探测器性能。
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公开(公告)号：CN106711249B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201611252668.0
申请日：2016-12-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器材料，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层和盖层。该探测器具有PIN型InAs/InAsSb超晶格与NBN型InAsSb异质结构，该结构具有高探测率、低暗电流、长的少数载流子寿命等优点，这样的结构可提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105826424A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510984107.9
申请日：2015-12-24
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0322
摘要： 本发明涉及一种采用二元化合物靶逐层溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，相比于传统的多靶(单质靶或单质靶与二元靶组合)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射的优点在于：本方法基于CZTS的形成机理2CuS+SnS=Cu2SnS3，Cu2SnS3+ZnS+S(g)=Cu2ZnSnS4，只需一个CuS靶、一个SnS和一个ZnS靶溅射得到CZTS预制层并通过后续的硫化退火得到CZTS薄膜，该方法不仅工艺过程简单、成膜效率高，薄膜平整，致密性高，而且在预置层硫化退火的过程中能有效抑制铜硫相(Cu2-xS)及硫锡相(Sn2-xS)的生成，同时还可以有效的控制S与Mo的反应形成硫化钼（MoS2），大大提高了CZTS薄膜的均匀性，有助于得到单相的CZTS薄膜。
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公开(公告)号：CN106711249A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611252668.0
申请日：2016-12-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1013 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/11 , H01L31/1844
摘要： 本发明公开了一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器材料，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层和盖层。该探测器具有PIN型InAs/InAsSb超晶格与NBN型InAsSb异质结构，该结构具有高探测率、低暗电流、长的少数载流子寿命等优点，这样的结构可提高探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105826425A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510984120.4
申请日：2015-12-24
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法，该薄膜电池包括钠钙玻璃衬底、金属背电极钼（Mo）层、p型Cu2ZnSnS4吸收层、n型Cd1-xZnxS缓冲层、ZnO窗口层、Al电极；所述p型Cu2ZnSnS4吸收层的制备方法是：使用四元化合物铜锌锡硫靶，采用一步溅射沉积，无需后续硫化工艺。所述n型Cd1-xZnxS缓冲层，减少了Cd的使用量，减小了对环境的污染，同时增加了电池的短波吸收，提高了电池的光电转换效率。本发明的薄膜太阳电池具有各元素均无毒无污染、储量丰富、制备工艺简单、光电转换效率较高、成本较低、适合工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN105826425B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201510984120.4
申请日：2015-12-24
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法，该薄膜电池包括钠钙玻璃衬底、金属背电极钼（Mo）层、p型Cu2ZnSnS4吸收层、n型Cd1‑xZnxS缓冲层、ZnO窗口层、Al电极；所述p型Cu2ZnSnS4吸收层的制备方法是：使用四元化合物铜锌锡硫靶，采用一步溅射沉积，无需后续硫化工艺。所述n型Cd1‑xZnxS缓冲层，减少了Cd的使用量，减小了对环境的污染，同时增加了电池的短波吸收，提高了电池的光电转换效率。本发明的薄膜太阳电池具有各元素均无毒无污染、储量丰富、制备工艺简单、光电转换效率较高、成本较低、适合工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN105821376A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201510984086.0
申请日：2015-12-24
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/35 , H01L31/032 , H01L21/363
CPC分类号： C23C14/0623 , C23C14/3407 , C23C14/35 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0326
摘要： 本发明制备一种铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层靶材，其特征在于，所述靶材中Cu：Zn：Sn：S的摩尔配比为2：1：1：4，其中，所述靶材为Cu2ZnSnS4相。本发明还提供所述靶材的制备方法，以及所述靶材在制备薄膜太阳电池吸收层中的应用，通过磁控溅射可直接制备得到Cu2ZnSnS4薄膜。本发明工艺简单、成本低、制成的靶材组分均匀、致密性好，为磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池吸收层奠定基础。
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公开(公告)号：CN106784117B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201611252476.X
申请日：2016-12-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/11
摘要： 本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型InAs/GaSb/AlSb/GaSb/InAs超晶格空穴阻挡层、p型InAs/GaSb超晶格长波红外吸收层、p型InAs/GaSb超晶格接触层、p型GaSb接触层（缓冲层）、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格中波红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb短波红外吸收层、第二n型InAsSb接触层（盖层）。该探测器具有P‑π‑M‑N型InAs/GaSb超晶格、PIN型InAs/InAsSb超晶格和NBN型InAsSb异质结构，具有高探测率、低暗电流、低串扰等优点，可提高红外探测器性能。
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公开(公告)号：CN106684200B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201611252591.7
申请日：2016-12-30
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种三色红外探测器的制作方法，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的InAs/InAsSb超晶格红外吸收层、n型InAs/InAsSb超晶格接触层、第一n型InAsSb接触层、AlAsSb电子势垒层、非掺杂InAsSb红外吸收层、第二n型InAsSb接触层、n型低温GaSb接触层、未掺杂低温GaSb红外吸收层、p型低温GaSb接触层（盖层）。该探测器具有PIN型InAs/InAsSb超晶格、NBN型InAsSb异质结构和PIN型低温GaSb结构，具有高探测率、低暗电流、低串扰等优点，可以提高红外探测器的性能。
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公开(公告)号：CN105826424B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201510984107.9
申请日：2015-12-24
申请人： 云南师范大学
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种采用二元化合物靶逐层溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，相比于传统的多靶(单质靶或单质靶与二元靶组合)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射的优点在于：本方法基于CZTS的形成机理2CuS + SnS=Cu2SnS3,Cu2SnS3+ ZnS + S(g)=Cu2ZnSnS4，只需一个CuS靶、一个SnS和一个ZnS靶溅射得到CZTS预制层并通过后续的硫化退火得到CZTS薄膜，该方法不仅工艺过程简单、成膜效率高，薄膜平整，致密性高，而且在预置层硫化退火的过程中能有效抑制铜硫相(Cu2‑xS)及硫锡相(Sn2‑xS)的生成，同时还可以有效的控制S与Mo的反应形成硫化钼（MoS2），大大提高了CZTS薄膜的均匀性，有助于得到单相的CZTS薄膜。
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