本发明公开了一种GaN基发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、成核层、未掺杂GaN层、N型GaN层、N型隔离层、应力释放层、量子阱、P型GaN层，N型隔离层中N型掺杂剂的掺杂浓度小于N型GaN层中N型掺杂剂的掺杂浓度，N型隔离层的厚度小于N型GaN层的厚度。本发明通过在N型GaN层上形成N型隔离层，可以阻隔由于晶格失配和热失配形成的应力位错，有效限制位错处形成的V形坑的开口大小，延迟V形坑的开口形成，有利于外延片进行应力释放，形成P型层时V形坑得到合并，最后形成平整的表面，大大改善外延片的晶体质量，芯片反向击穿电压提升50％左右。