发明授权
- 专利标题: 半导体连接用的Cu柱用圆柱状形成物
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申请号: CN201580045029.4申请日: 2015-08-28
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公开(公告)号: CN106796895B公开(公告)日: 2020-01-03
- 发明人: 山田隆 , 小田大造 , 榛原照男 , 寺岛晋一
- 申请人: 日铁新材料股份有限公司 , 日铁化学材料株式会社
- 申请人地址: 日本埼玉县
- 专利权人: 日铁新材料股份有限公司,日铁化学材料株式会社
- 当前专利权人: 日铁新材料股份有限公司,日铁化学材料株式会社
- 当前专利权人地址: 日本埼玉县
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 刘航; 段承恩
- 优先权: 2014-175507 2014.08.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2015/074525 2015.08.28
- 国际公布: WO2016/031989 JA 2016.03.03
- 进入国家日期: 2017-02-21
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; H01L23/12 ; H01L23/50
摘要:
本发明的课题是在半导体芯片上设置Cu柱来进行电连接时,与采用镀敷法形成Cu柱的方法相比,能够增大Cu柱的高度/直径比,提高生产率,增高Cu柱的高度,提高Cu柱的可靠性。本发明为解决该课题,预先将Cu柱用的材料形成为圆柱状形成物,并将该圆柱状形成物与半导体芯片上的电极连接以作为Cu柱。由此,能够使Cu柱的高度/直径比为2.0以上。由于不采用电镀法,因此制造Cu柱所需的时间短,能够提高生产率。另外,由于能够将Cu柱高度提高到200μm以上,因此很适合于模塑底部填充。由于能够自由地调整成分,因此能够容易地进行可靠性高的Cu柱的合金成分设计。
公开/授权文献
- CN106796895A 半导体连接用的Cu柱用圆柱状形成物 公开/授权日:2017-05-31
IPC分类: