Invention Grant
- Patent Title: 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件
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Application No.: CN201580054055.3Application Date: 2015-10-01
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Publication No.: CN106796968BPublication Date: 2018-11-02
- Inventor: 弗兰克·辛格 , 布丽塔·格厄特茨 , 大卫·拉奇 , 马蒂亚斯·斯佩尔
- Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
- Applicant Address: 德国雷根斯堡
- Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee: 欧司朗光电半导体有限公司
- Current Assignee Address: 德国雷根斯堡
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 丁永凡; 张春水
- Priority: 102014114372.8 2014.10.02 DE
- International Application: PCT/EP2015/072674 2015.10.01
- International Announcement: WO2016/050903 DE 2016.04.07
- Date entered country: 2017-04-05
- Main IPC: H01L33/00
- IPC: H01L33/00 ; H01L33/50 ; H01L33/60
Abstract:
提出一种用于制造多个光电子半导体器件(100)的方法,所述方法具有如下步骤:a)提供多个设置用于产生电磁辐射的半导体芯片(4),b)将多个半导体芯片(4)设置在一个平面中;c)构成壳体本体复合件(8),所述壳体本体复合件至少局部地设置在半导体芯片(4)之间;d)构成多个转换元件(12),其中每个转换元件包括转换波长的转换材料并且设置在半导体芯片(4)中的一个半导体芯片上;e)对多个转换元件(12)至少在其侧向边缘(20)处借助封装材料进行封装;和f)将壳体本体复合件(8)分割成多个光电子半导体器件(100)。此外,提出一种半导体器件(100)。
Public/Granted literature
- CN106796968A 用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件 Public/Granted day:2017-05-31
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IPC分类: